[发明专利]基片固持设备和形状度量方法在审
申请号: | 201980012400.5 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN111699548A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 姜浩英;安东·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基片固持 设备 形状 度量 方法 | ||
一种用于不会使基片屈曲或弯曲地均匀地固持基片的设备和方法,由此使得能够获得该基片的准确形状测量值,例如晶片曲率、z高度值和其他表面特性。技术包括使用液体作为基片的支撑表面,由此提供均匀的支撑。所使用的液体具有与被支撑的基片相同的比重,使得该基片可以浮在该液体上而不会下沉。该基片的均匀支撑能够实现精确的度量。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年3月19日提交的题为“基片固持设备和形状度量方法”的美国临时专利申请号62/645,128的权益,该申请通过援引以其全部内容并入本文。
背景技术
该申请涉及固持基片(例如晶片)以用于各种处理以及度量技术。
半导体晶片的处理包括许多不同的步骤。这些步骤可以包括涂覆晶片、将晶片暴露于某一图案的光化辐射、蚀刻材料、沉积材料、清洁晶片表面、测量结构、电测试和封装。每个处理步骤通常需要牢固地或充分地固持晶片以进行给定的处理。
发明内容
在半导体制造期间,常见的是执行对晶片的各种测量以改善微制造并且实施过程控制。常规的度量技术包括测量基片的特性,例如临界尺寸(CD)偏差、膜厚度、伪影沉积物等。新兴的度量学和过程控制技术包括校正晶片弯曲度或曲率。然而,由于常规的基片固持机构引起或导致一定程度的弯曲,因此在纳米级上准确地测量曲率是具有挑战性的。
本文的技术提供了一种用于均匀而不弯曲地固持基片的设备和方法,使得可以精确地测量形状测量值,例如晶片曲率、z高度值和其他表面特性。技术包括使用液体作为基片的支撑表面,由此提供均匀的支撑。常规的基片支撑件使用真空吸盘或边缘支撑件。尽管这种支撑件可能足以用于某些处理(例如清洁和蚀刻),但是这种支撑件让给定基片因重力而弯曲,从而使得形状测量变得困难。通过选择具有与被支撑的给定基片相同比重的液体,该给定基片能浮在液体上而不会下沉。本文中的这种固持机构提高了度量精度。
当然,为了清楚起见,已经提出了本文所述的不同步骤的讨论顺序。通常,这些步骤可以按任何适合的顺序执行。另外,尽管可能在本披露的不同地方讨论了本文中的每个不同特征、技术、构造等,但是旨在每个概念可以彼此独立地或彼此组合地执行。因此,可以以许多不同的方式来实施和查看本发明。
注意的是,此发明内容部分并未指明本披露或要求保护的发明的每个实施例和/或递增的新颖方面。相反,此发明内容仅提供了对不同实施例的以及相应常规技术的新颖性点的初步讨论。对于本发明和实施例的附加细节和/或可能的观点而言,读者应查阅本披露如以下所讨论的具体实施方式部分和相应的附图。
附图说明
参考以下结合附图考虑的具体实施方式,对本发明的各种实施例及其许多附带优点的更完整的理解将变得非常明显。附图不一定按比例绘制,而是将重点放在说明实施例、原理、概念上。
图1是根据本文所披露的实施例的在接纳基片之前的基片固持设备的截面视图。
图2是根据本文所披露的实施例的正固持着基片的基片固持设备的截面视图。
图3是根据本文所披露的实施例的正固持着基片的基片固持设备的截面视图。
图4是根据本文所披露的实施例的在接纳基片之前的基片固持设备的截面视图。
图5是根据本文所披露的实施例的正固持着基片的基片固持设备的截面视图。
具体实施方式
本文的技术提供了一种用于均匀而不弯曲基片地固持基片的设备和方法,使得可以精确地测量形状测量值,例如晶片曲率、z高度值和其他表面特性。技术包括使用液体作为基片的支撑表面。液体提供均匀的支撑。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造