[发明专利]清洁EUV腔室中的结构表面

权利要求书

1.一种清洁极紫外(EUV)光源的腔室内的结构的表面的方法，所述方法包括：

生成存在于邻近所述腔室内的非导电体的位置处的材料的等离子体状态，所述生成包括：

在邻近所述非导电体的所述位置处电磁感应出电流，从而将邻近所述非导电体的所述材料从第一状态转变为所述等离子体状态，其中所述材料的所述等离子体状态包括等离子体粒子，所述等离子体粒子中的至少一些等离子体粒子是所述材料的自由基；以及

使得所述等离子体粒子能够经过所述结构表面，以在不从所述EUV光源的所述腔室中去除所述结构的情况下，从所述结构表面去除碎片。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述结构的温度保持在50℃之下。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构表面被定位为与存在于所述腔室中的光进行光学相互作用，并且对存在于所述腔室中的光进行改性。

4.根据权利要求1所述的方法，其中生成所述材料的所述等离子体状态包括：在不存在氧气的情况下，生成所述材料的所述等离子体状态。

5.根据权利要求1所述的方法，其中生成所述材料的所述等离子体状态包括：在不减少流经所述结构表面的材料的量的情况下，生成所述材料的所述等离子体状态。

6.根据权利要求1所述的方法，其中电磁感应出所述电流包括：使电流流过邻近所述非导电体的导电管。

7.根据权利要求6所述的方法，其中流过所述导电管的所述电流处于射频。

8.根据权利要求1所述的方法，其中电磁感应出所述电流包括：在所述非导电体处生成微波辐射，或者使电磁表面波沿着所述非导电体传播。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括通过所述导电管的内部提供冷却流体，以将所述非导电体或所述结构的温度保持在阈值温度之下。

10.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述结构包括所述非导电体；以及

生成邻近所述非导电体的所述位置处的所述材料的所述等离子体状态包括：生成邻近所述结构表面的位置处的所述材料的所述等离子体状态。

11.根据权利要求6所述的方法，其中所述结构不同于所述非导电体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中使得所述材料的所述等离子体状态能够经过所述结构表面包括：使所述等离子体粒子从所述非导电体附近的位置朝向所述结构表面移动并且跨所述结构表面移动。

13.根据权利要求1所述的方法，其中：

在邻近所述非导电体的所述位置处电磁感应出所述电流包括在所述腔室内在所述非导电体附近产生时变磁场；以及

在所述腔室内产生所述时变磁场包括使时变电流流过邻近所述非导电体的电导体。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体粒子至少包括所述材料的离子、电子和自由基。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料包括氢。

16.根据权利要求1所述的方法，其中从所述结构表面去除碎片包括：使所述等离子体粒子与所述结构表面上的所述碎片发生化学反应，以形成从所述结构表面释放的化学物质。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括从所述腔室中去除所释放的化学物质。