[发明专利]清洁EUV腔室中的结构表面

说明书

在一些总体方面，使用一种方法清洁极紫外(EUV)光源的腔室内的结构的表面。该方法包括生成存在于邻近腔室内的非导电体的位置处的材料的等离子体状态。该材料的等离子体状态的生成包括在邻近非导电体的位置处电磁感应出电流，从而将邻近非导电体的材料从第一状态转变为等离子体状态。该材料的等离子体状态包括等离子体粒子，至少一些等离子体粒子是该材料的自由基。该方法还包括使得等离子体粒子能够经过结构表面，以在不从EUV光源的腔室中去除结构的情况下，从结构表面去除碎片。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月13日提交的美国申请62/630,036和于2019年1月22日提交的美国申请62/795,107的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

所公开的主题涉及一种用于从极紫外光源的腔室内的结构的表面清洁碎片的系统和方法。

背景技术

在光刻工艺中可以使用极紫外(EUV)光(例如，波长约为50nm或更小的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括波长约为13nm的光)在衬底(例如，硅晶片)中产生极小的特征。

用于产生EUV光的方法包括但不必限于将发射线在EUV范围内的具有例如氙、锂或锡等元素的材料转换为等离子状态。在一种通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的这样的方法中，所需要的等离子体可以通过利用放大光束照射例如呈材料液滴、板、带、流或簇形式的目标材料来产生。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测设备来监测。

发明内容

在一些总体方面，使用一种方法清洁极紫外(EUV)光源的腔室内的结构的表面。该方法包括生成存在于邻近腔室内的非导电体的位置处的材料的等离子体状态。该材料的等离子体状态的生成包括在邻近非导电体的位置处电磁感应出电流，从而将邻近非导电体的材料从第一状态转变为等离子体状态。该材料的等离子体状态包括等离子体粒子，至少一些等离子体粒子是该材料的自由基。该方法还包括使得等离子体粒子能够经过结构表面，以在不从EUV光源的腔室中去除结构的情况下，从结构表面去除碎片。

实现可以包括以下各种中的一项或多项。例如，该方法可以包括将该结构的温度保持在50℃之下。

结构表面可以被定位为与存在于腔室中的光进行光学相互作用，并且对存在于腔室中的光进行改性。

通过在不存在氧气的情况下生成该材料的等离子体状态，可以生成该材料的等离子体状态。在不减少流经结构表面的材料的量的情况下，通过生成该材料的等离子体状态，可以生成该材料的等离子体状态。

通过使电流流过邻近非导电体的导电管可以电磁感应出电流。流过导电管的电流可以处于射频。该方法可以包括：通过导电管的内部提供冷却流体，以将非导电体或该结构的温度保持在阈值温度之下。

该结构可以包括非导电体；并且通过生成邻近结构表面的位置处的材料的等离子体状态，可以生成邻近非导电体的位置处的材料的等离子体状态。

该结构可以不同于非导电体。通过使等离子体粒子从非导电体附近的位置朝向结构表面移动并且跨结构表面移动，可以使得该材料的等离子体状态能够经过结构表面。

通过在腔室内在非导电体附近产生时变磁场，可以在邻近非导电体的位置处电磁感应出电流；并且通过使时变电流流过邻近非导电体的电导体，可以在腔室内产生时变磁场。

等离子体粒子可以至少包括该材料的离子、电子和自由基。该材料可以包括氢。

通过使等离子体粒子与结构表面上的碎片发生化学反应，以形成从结构表面释放的化学物质，可以从结构表面去除碎片。该方法还可以包括从腔室中去除所释放的化学物质。该材料可以包括氢，并且等离子体粒子可以包括氢的自由基。衬底表面上的碎片可以包括锡，并且所释放的化学物质可以包括氢化锡。