[发明专利]包括气锁的设备

说明书

一种设备可以构成光刻设备的部分，所述设备包括衬底台、投影系统、气锁和气流引导件。衬底台适用于支撑衬底。投影系统具有主体，所述主体限定内部和开口。投影系统配置并布置成将辐射束通过开口投影到由衬底台支撑的衬底上。气锁适用于提供来自所述开口远离所述内部的气流。气流引导件配置成引导所述气流的至少一部分远离由所述衬底台支撑的衬底。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月16日提交的欧洲申请18157048.2的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及一种包括气锁的设备。具体地，所述设备可以构成光刻设备的一部分，所述光刻设备包括用于支撑衬底(例如硅晶片)的衬底台和布置成将图案化的辐射束投影到衬底上的投影系统。所述气锁可以被布置成至少部分保护投影系统的内部以避免污染物进入。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将来自图案形成装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了能够形成在衬底上的特征的最小尺寸。使用极紫外(EUV)辐射(其波长在4-20nm范围内，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。

因为在使用EUV辐射的光刻设备内，EUV辐射强烈地被物质吸收，所以EUV辐射的光学路径在真空条件下(即，处于明显低于大气压力的压力)。特别地，投影系统包括用于将EUV辐射投影到衬底上的光学元件的系统，投影系统可以被保持在真空条件下。EUV辐射通过由投影系统限定的开口投影到衬底上。期望限制污染物进入到投影系统中。已知为此目的提供动态气锁。

可以期望提供气锁的替代布置和包括这种气锁的设备，其至少部分解决了与已知的布置相关联的一个或更多个问题(不管在本文中识别出还是以其它方式识别出)。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种设备，包括：衬底台，用于支撑衬底；投影系统，具有主体，所述主体限定内部和开口，所述投影系统配置并布置成将辐射束通过所述开口投影到由所述衬底台支撑的衬底；气锁，用于提供来自所述开口远离所述内部的气流；和气流引导件，配置成引导所述气流的至少一部分远离由所述衬底台支撑的衬底。

根据本发明的第一方面的设备可以构成光刻设备的部分。例如，在使用中，衬底台可以支撑硅晶片，投影系统可以布置成将图案化的辐射束投影到晶片上(例如以形成掩模版的衍射受限的图像)。在使用中，多个不同的目标区(其可以对应于一个或更多个管芯)可以在曝光之间通过相对于该投影系统移动该衬底台而被依序曝光。另外，每个这种曝光均可以是扫描曝光，在扫描曝光期间衬底台相对于开口在扫描方向上移动。

根据本发明的第一方面的设备是有利的，因为其提供能够保护该投影系统的内部以免污染物进入的气锁。例如，其能够防止这种污染物撞击光学元件(例如，反射镜或透镜)。继而，这能够改良该投影条统的光学性能。

此外，气流引导件配置成引导所述气流的至少一部分远离由所述衬底台支撑的衬底。这与设置于投影系统与衬底台之间的常规的气锁形成对比，在常规的气锁中，来自该投影系统的开口的主要气流被引导朝向衬底台。相比于常规气锁的这一区别具有多个优点，如目前所论述。

在气流从该开口传递经过衬底和衬底台的现有布置下，气流将热负荷递送至衬底。继而，这能够导致衬底的热变形，这对于所形成的图像的品质可能是不利的。