[发明专利]等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序有效

专利信息
申请号: 201980013656.8 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN111801990B 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 林大辅;梅泽义弘;冈信介 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H05H1/00 分类号: H05H1/00;H01L21/3065;H05H1/46
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 状态 检测 方法 以及 程序
【说明书】:

本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定,测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合,来计算来自等离子体的热输入量,该计算模型包括该热输入量作为参数来计算过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。

背景技术

以往以来,已知一种使用等离子体对半导体晶圆(下面也称作“晶圆”)等被处理体进行蚀刻等等离子体处理的等离子体处理装置。并且提出了一种在该等离子体处理装置中的处理容器内配置各种探测器、各种电传感器等传感器来检测等离子体的状态的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009-194032号公报

专利文献2:日本特开2009-087790号公报

专利文献2:日本特表2014-513390号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种不配置传感器的检测等离子体的状态的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的等离子体处理装置具有载置台、加热器控制部、测量部、参数计算部以及输出部。载置台设置有加热器,该加热器能够调整用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面的温度。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力,以使加热器成为设定的设定温度。由加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定,测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和从等离子体点火起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由所述测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合,来计算来自等离子体的热输入量,该计算模型包括该热输入量作为参数来计算所述过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。

发明的效果

根据本公开,不用在处理容器内配置传感器就能够检测等离子体的状态。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的等离子体处理装置的概要结构的一例的截面图。

图2是表示实施方式所涉及的载置台的结构的一例的俯视图。

图3是表示实施方式所涉及的控制等离子体处理装置的控制部的概要结构的一例的框图。

图4是示意性地表示对晶圆的温度产生影响的能量的流动的一例的图。

图5A是示意性地表示未点火状态的能量的流动的一例的图。

图5B是示意性地表示点火状态的能量的流动的一例的图。

图6是表示晶圆W的温度和向加热器HT供给的供给电力的变化的一例的图。

图7是示意性地表示点火状态的能量的流动的一例的图。

图8是概要性地表示由于等离子体的密度分布引起的未点火状态和过渡状态的温度变化的一例的图。

图9是示意性地表示未点火状态和过渡状态的能量的流动的一例的图。

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