[发明专利]用于具有缩小像素大小的微显示器的3D像素电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201980014394.7 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111819680B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | I·瓦采克 | 申请（专利权）人： | 埃马金公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 顾晨昕 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 具有 缩小 像素 大小 显示器 电路 及其 形成 方法 | ||
1.一种垂直堆叠电路，其包括：
下部分，其包括：(1)低电压电路系统、及(2)数据存储电路系统，所述低电压电路系统包含至少一个低电压晶体管，所述数据存储电路系统包含至少一个沟槽电容器；以及
上部分，其安置于所述下部分上方，包括至少一个高电压晶体管及经配置以驱动第一有机发光二极管的像素驱动电路系统，其中所述上部分包含第一穿硅通孔及至少一个高电压晶体管；
其中所述上部分及下部分经由包含所述第一穿硅通孔的单个电连接点而电连接。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述高电压晶体管具有大于3伏特的操作电压，并且其中所述至少一个低电压晶体管具有3伏特或更低的操作电压。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述下部分进一步包括：(3)矩阵寻址电路系统、及(4)均匀性补偿电路系统。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述上部分形成于第一硅层上且所述下部分形成于第二硅层上，并且其中所述第一硅层和所述第二硅层接合在一起。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述上部分进一步包括所述第一有机发光二极管。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的长度及宽度小于4μm×4μm。
7.一种垂直堆叠像素电路，其包括：
下部分，其包括：(1)低电压电路系统、及(2)数据存储电路系统，所述低电压电路系统包含具有3伏特或更低的操作电压的至少一个低电压晶体管，所述数据存储电路系统包含至少一个沟槽电容器；及
上部分，其安置于所述下部分上方，包括第一有机发光二极管及经配置以驱动所述第一有机发光二极管的像素驱动电路系统，其中所述上部分包含第一穿硅通孔及高电压电路系统，所述高电压电路系统包含具有大于3伏特的操作电压的至少一个高电压晶体管；
其中所述上部分及下部分经由包含所述第一穿硅通孔的单个电连接点而电连接。
8.根据权利要求7所述的垂直堆叠像素电路，其中所述下部分进一步包括矩阵寻址电路系统及均匀性补偿电路系统。
9.根据权利要求8所述的垂直堆叠像素电路，其中所述矩阵寻址电路系统包括选择开关，且所述沟槽电容器是存储电容器。
10.一种包括多个子像素的微显示器，其中每一子像素包括根据权利要求7所述的垂直堆叠像素电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃马金公司，未经埃马金公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980014394.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
