[发明专利]基板清洗装置和基板清洗方法在审
申请号: | 201980014614.6 | 申请日: | 2019-02-15 |
公开(公告)号: | CN111771260A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 石桥知淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 方法 | ||
1.一种基板清洗装置,其特征在于,具备:
基板旋转机构,该基板旋转机构使基板旋转;以及
第一喷嘴和第二喷嘴,该第一喷嘴和第二喷嘴朝向旋转的所述基板的规定面喷射超声波清洗液,
所述第一喷嘴与所述第二喷嘴保持于一个壳体。
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
来自所述第一喷嘴的超声波清洗液与来自所述第二喷嘴的超声波清洗液在相互混合后到达所述规定面,或者在到达所述规定面后相互混合。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一喷嘴和所述第二喷嘴安装于以旋转轴为中心旋转的臂的顶端,向所述基板的第一面喷射超声波清洗液。
4.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一喷嘴向旋转的所述基板的第一面喷射超声波清洗液,
所述第二喷嘴向旋转的所述基板的与所述第一面相反的一侧的第二面喷射超声波清洗液。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴向旋转的所述基板的边缘部分喷射超声波清洗液。
6.根据权利要求5所述的基板清洗装置,其特征在于,
向所述边缘部分喷射超声波清洗液的所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴以如下的方式喷射超声波清洗液:超声波清洗液不会碰到旋转的所述基板的斜面而落到所述基板的边缘部分,然后从边缘部分朝向中心。
7.根据权利要求5所述的基板清洗装置,其特征在于,
向所述边缘部分喷射超声波清洗液的所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴以如下的方式喷射超声波清洗液:超声波清洗液落到旋转的所述基板的比边缘部分靠中心侧的位置,然后朝向边缘部分。
8.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴向旋转的所述基板的斜面喷射超声波清洗液。
9.根据权利要求8所述的基板清洗装置,其特征在于,
向所述斜面喷射超声波清洗液的所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴向旋转的所述基板的切线方向喷射超声波清洗液。
10.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一喷嘴和所述第二喷嘴一边在所述基板旋转机构的附近摆动,一边向所述基板的边缘部分喷射超声波清洗液。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,还具备:
流路,该流路与所述壳体连接,并向所述第一喷嘴和所述第二喷嘴供给清洗液;
振子,该振子对从所述流路供给的清洗液施加超声波;以及
微泡供给机构,该微泡供给机构与所述流路连接,并向清洗液导入微泡。
12.根据权利要求11所述的基板清洗装置,其特征在于,
该基板清洗装置还具备过滤器,该过滤器设置在所述第一喷嘴及所述第二喷嘴与所述微泡供给机构之间,并构成为除去通过所述微泡供给机构而导入的微泡。
13.一种基板清洗方法,其特征在于,
一边使基板旋转,一边从保持于一个壳体的第一喷嘴和第二喷嘴朝向所述基板的规定面喷射超声波清洗液。
14.根据权利要求13所述的基板清洗方法,其特征在于,
关于从所述第一喷嘴喷射的超声波清洗液与从所述第二喷嘴喷射的超声波清洗液,超声波清洗液的频率、电力、流量、温度和液体种类中的至少一个相互不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造