[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

腔室；

基板保持部，在所述腔室内保持基板；

第一处理部，在所述腔室内进行第一处理；

第二处理部，在所述腔室内，在所述第一处理后，对所述基板保持部所保持的基板进行第二处理；

第一温度测定部，测定所述腔室内的规定的对象区域的温度；以及

控制部，控制所述第一处理部及所述第二处理部，且

所述控制部基于在所述第一处理中或所述第一处理后自所述第一温度测定部所获取的测定温度信息，来判断能否开始所述第二处理。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中

所述控制部基于所述测定温度信息与存储于所述控制部内的基准温度信息，来判断能否开始所述第二处理。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述控制部在判断为在所述第一处理后，无法开始所述第二处理的情况下，使所述第一处理部追加执行所述第一处理，且

基于在追加执行的所述第一处理中或所述第一处理后自所述第一温度测定部获取的测定温度信息，再次判断能否开始所述第二处理。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，还包括：

插入处理部，在所述腔室内进行与所述第一处理不同的插入处理，

所述控制部在判断为在所述第一处理后，无法开始所述第二处理的情况下，使所述插入处理部执行所述插入处理，且

基于在所述插入处理中或所述插入处理后自所述第一温度测定部获取的测定温度信息，再次判断能否开始所述第二处理。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中

所述对象区域包含所述腔室内的发挥互不相同的作用的两个以上的部位。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其中

所述对象区域包含所述基板保持部的至少一部分。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中

所述对象区域包含所述第二处理部的至少一部分。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，还包括：

环状的杯体，包围所述基板保持部，且

所述对象区域包含所述杯体的至少一部分。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中

所述第二处理部包括朝向基板喷出处理液的喷嘴，且

所述对象区域包含自所述喷嘴喷出的处理液的液柱。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，还包括：

第二温度测定部，测定供给至所述喷嘴的处理液在配管内的温度，

所述控制部基于自所述第一温度测定部获取的测定温度信息、与自所述第二温度测定部获取的测定温度信息来判断能否开始所述第二处理。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其中

所述第一处理是对和作为所述第二处理的对象的基板相同形状的模型基板进行的，与所述第二处理相同的处理。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其中

所述第一温度测定部是热成像照相机。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其中

所述第一温度测定部包括：

放射温度计；以及

摆动机构，使所述放射温度计的方向发生变化。

14.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其中

所述第一温度测定部是配置于所述对象区域的热电偶。