[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

首先，在腔室内执行作为预处理的第一处理。当第一处理结束后，通过热成像照相机(70)来测定腔室内的规定的对象区域(A)的温度。接着，基于所获取的测定温度信息(T1)来判断能否开始对基板(W)的第二处理。结果，在判断为能够开始第二处理的情况下，执行第二处理。如此，能够在腔室内的对象区域(A)的温度稳定的状态下，开始对基板(W)的第二处理。由此，能够对多个基板(W)均匀地进行第二处理。即，能够抑制由腔室内的温度环境引起的处理的不均。

技术领域

本发明涉及一种在腔室(chamber)内处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

以往，在半导体晶片的制造工序中，使用对基板供给处理液的基板处理装置。基板处理装置一边在腔室的内部对基板进行保持，一边对所述基板供给光致抗蚀剂(photoresist)液、蚀刻(etching)液、洗净液、纯水等处理液。在此种基板处理装置中，为了将基板的处理品质保持稳定，在腔室的内部进行各种测量。

例如，在专利文献1的装置中，通过照相机(camera)来拍摄有无对基板喷出处理液。另外，在专利文献2的装置中，通过放射温度计(radiation thermometer)来检测基板表面的温度分布。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2002-316080号公报

专利文献2：日本专利特开平11-165114号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在基板处理装置的腔室内经处理的基板的周围，具有保持基板的底座(base)、对基板喷出处理液的喷嘴(nozzle)、包围基板的杯体(cup)、及腔室的内壁面等各种构件。存在所述各部的表面温度对基板的处理品质产生影响的情况。因此，在对多个基板依次进行处理的过程中，当腔室内的各部的表面温度发生变化时，存在针对多个基板的处理品质会产生不均的情况。

本发明是鉴于此种情况而成，目的在于提供一种能够抑制由腔室内的温度环境引起的处理的不均的基板处理装置以及基板处理方法。

解决问题的技术手段

为了解决所述课题，本申请的第一发明包括：腔室；基板保持部，在所述腔室内保持基板；第一处理部，在所述腔室内进行第一处理；第二处理部，在所述腔室内，在所述第一处理后，对所述基板保持部所保持的基板进行第二处理；第一温度测定部，测定所述腔室内的规定的对象区域的温度；以及控制部，控制所述第一处理部及所述第二处理部，且所述控制部基于在所述第一处理中或所述第一处理后自所述第一温度测定部所获取的测定温度信息，来判断能否开始所述第二处理。

本申请的第二发明是根据第一发明的基板处理装置，其中所述控制部基于所述测定温度信息与存储于所述控制部内的基准温度信息，来判断能否开始所述第二处理。

本申请的第三发明是根据第一发明或第二发明的基板处理装置，其中所述控制部在判断为在所述第一处理后，无法开始所述第二处理的情况下，使所述第一处理部追加执行所述第一处理，且基于在追加执行的所述第一处理中或所述第一处理后自所述第一温度测定部获取的测定温度信息，再次判断能否开始所述第二处理。

本申请的第四发明是根据第一发明或第二发明的基板处理装置，还包括：插入处理部，在所述腔室内进行与所述第一处理不同的插入处理，所述控制部在判断为在所述第一处理后，无法开始所述第二处理的情况下，使所述插入处理部执行所述插入处理，且基于在所述插入处理中或所述插入处理后，自所述第一温度测定部获取的测定温度信息，再次判断能否开始所述第二处理。

本申请的第五发明是根据第一发明至第四发明中任一发明的基板处理装置，其中所述对象区域包含所述腔室内的发挥互不相同的作用的两个以上的部位。