[发明专利]用于具有减小的电阻的有源区上有源区管芯堆叠的功率分配

权利要求书

1.一种半导体管芯，其特征在于，所述半导体管芯包括：

第一标准单元，所述第一标准单元被布置在第一管芯体内；和

第一多个金属层，所述第一多个金属层被布置在所述第一标准单元上的所述第一管芯体内，所述第一多个金属层形成第一BEOL堆叠的一部分，所述第一多个金属层包括最接近所述第一标准单元的第一金属层，以及离所述第一标准单元最远的最末金属层；所述第一多个金属层包括：

第一功率分配网络层，所述第一功率分配网络层被布置在所述第一标准单元的上方和所述第一多个金属层的最末金属层的下方，所述第一功率分配网络层被配置成向所述第一标准单元提供电源电压或接地中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其特征在于，所述半导体管芯还包括：

第一多个通孔，所述第一多个通孔在所述第一管芯体的上表面与下表面之间延伸，所述通孔电耦接到所述第一功率分配网络层。

3.根据权利要求2所述的半导体管芯，其特征在于，所述第一功率分配网络层的厚度至少是所述第一金属层和所述最末金属层的两倍。

4.根据权利要求2所述的半导体管芯，其特征在于，所述第一功率分配网络层相对于被布置在所述第一功率分配网络层之上和之下的所述第一多个金属层具有更低的电阻率。

5.根据权利要求2所述的半导体管芯，其特征在于，被布置在所述第一功率分配网络层上方的所述第一多个金属层被配置为具有大于2欧姆但小于10欧姆的堆叠电阻，并且被设置在所述第一功率分配网络层下方的所述第一多个金属层被配置为具有等于或小于1欧姆的堆叠电阻。

6.一种有源区上有源区微电子器件，其特征在于，所述有源区上有源区微电子器件包括：

第一管芯；

第二管芯，所述第二管芯具有形成在其中的标准单元；

所述第一管芯堆叠在所述第二管芯上，以提供管芯堆叠；

所述第一管芯和第二管芯每个均具有被形成在多个层间介质层中的多个金属层，以提供第一堆叠结构和第二堆叠结构；

所述第二堆叠结构的功率分配网络层位于最靠近所述标准单元的所述多个金属层中的第一金属层和最远离所述标准单元的所述多个金属层中的最末金属层之间，所述功率分配网络层被配置成向所述标准单元提供电源电压或接地。

7.根据权利要求6所述的有源区上有源区微电子器件，其特征在于，所述有源区上有源区微电子器件还包括：

从所述第一管芯的上表面延伸到下表面的第一贯穿基片的通孔，以及

在所述第二基片的上表面和下表面之间延伸的第二贯穿基片的通孔，所述第一贯穿基片的通孔通过被布置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的接合材料耦接到所述第二贯穿基片的通孔。

8.根据权利要求7所述的有源区上有源区微电子器件，其特征在于，所述有源区上有源区微电子器件还包括：

第三管芯，所述第三管芯具有第三基片，所述第三基片具有上表面和下表面；

所述第三管芯具有形成在多个层间介质层中的多个金属层，以提供用于导电的第三堆叠结构；和

所述第二管芯在所述第三管芯上，所述第二基片的下表面朝向所述第三基片的上表面，以提供管芯堆叠。

9.根据权利要求8所述的有源区上有源区微电子器件，其特征在于，所述有源区上有源区微电子器件还包括：

所述第二堆叠结构互连至所述第二贯穿基片的通孔的上端，以用于导电；和

在所述第二基片的下表面附近的所述第三堆叠结构的金属层，其互连至所述第二贯穿基片的通孔的下端，以用于导电。

10.根据权利要求6所述的有源区上有源区微电子器件，其特征在于，所述功率分配网络层相对于被布置在所述标准单元上方的所述多个金属层，具有更低的电阻率。