[发明专利]非易失性存储电路

权利要求书

1.一种非易失性存储电路，包括：

易失性存储部，被配置为存储信息；和

非易失性存储部，通过存储操作将所述易失性存储部中的信息写入到所述非易失性存储部中，并且通过恢复操作通过与在所述存储操作时的存储路径不同的恢复路径，将信息从所述非易失性存储部读出到所述易失性存储部，

其中，布置在所述存储路径上的所有晶体管为漏极连接。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储电路，还包括：

存储用驱动器，布置在所述存储路径上并且被配置为将信息写入到所述非易失性存储部中；和

第一晶体管，布置在所述存储用驱动器和地之间。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储电路，

其中，所述存储用驱动器是反相元件。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储电路，

其中，所述第一晶体管是nMOS晶体管。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储电路，还包括

控制驱动器，布置在所述存储路径上并且被配置为控制在存储用驱动器侧的相反侧连接到所述非易失性存储部的控制线的电平。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储电路，还包括

第二晶体管，布置在所述控制驱动器和地之间。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储电路，其中，所述控制驱动器是反相元件。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储电路，

其中，所述第二晶体管是nMOS晶体管。

9.根据权利要求2所述的非易失性存储电路，

其中，所述易失性存储部包括第一存储节点和第二存储节点，

所述非易失性存储部包括第一存储元件和第二存储元件，

所述第一存储节点和所述第一存储元件经由第三晶体管连接，以及

所述第二存储节点和所述第二存储元件经由第四晶体管连接。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储电路，

其中，所述第一存储节点和所述第二存储元件经由所述存储用驱动器连接；以及

所述第二存储节点和所述第一存储元件经由其它存储用驱动器连接。

11.根据权利要求9所述的非易失性存储电路，

其中，所述第一存储元件和所述第二存储元件是MTJ。