[发明专利]改良工艺均匀性的衬底晕圈配置

说明书

一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。

相关申请

本申请主张在2018年3月1号提出申请、标题为改良工艺均匀性的衬底晕圈配置(SUBSTRATE HALO ARRANGEMENT FOR IMPROVED PROCESS UNIFORMITY)的美国临时专利申请第62/637,164号的优先权，所述美国临时专利申请全文并入本文供参考。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体工件处理，且更具体来说，涉及利用达成工艺均匀性的衬底晕圈的半导体工件处理。

背景技术

对于等离子体辅助(plasma-aided)及离子束辅助(ion beam-aided)装置处理来说，目标常常是在衬底上产生工艺均匀性。例如半导体晶片等衬底常常被定位成由硬件(例如，晕圈)环绕以保护未被设计成接收等离子体或离子束处理的处理室、衬底或其他组件。尽管衬底的大部分可接收相对均匀的处理，但频繁的观察到在衬底的周边附近存在边缘效应，其中所述边缘效应可包括非均匀的处理结果、以及污染、颗粒产生及其他非期望的结果。

有鉴于这些及其他考虑，提供本公开。

发明内容

在一个实施例中，一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。衬底支架可包括晕环，其中所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。

在另一实施例中，一种衬底支架总成可包括衬底台板(substrate platen)，其中所述衬底台板被设置成在衬底位置处支撑衬底。所述衬底支架总成也可包括晕环，所述晕环设置在所述衬底位置周围。所述衬底支架总成还可包括外部晕圈，其中所述外部晕圈包含第一材料且设置在所述晕环周围。所述外部晕圈可界定第一孔隙，其中所述外部晕圈被设置成与所述晕环接合。所述晕环可包含第二材料且可至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙。

在另一实施例中，一种处理设备可包括：处理室；以及衬底支架总成，设置在所述处理室中。所述衬底支架总成可包括衬底台板，其中所述衬底台板被设置成在衬底位置处支撑衬底。所述衬底支架总成也可包括晕环，所述晕环设置在所述衬底位置周围。所述衬底支架总成还可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料，其中所述外部晕圈设置在所述晕环周围且被配置成与所述晕环接合。所述晕环可包含与所述外部晕圈不同的第二材料。

附图说明

附图示出本公开的示例性方式，包括本公开原理的实际应用，附图如下：

图1A是示出根据本公开实施例的处理设备的侧视图的示意图。

图1B是示出根据本公开实施例的衬底支架总成的前视图的示意图。

图1C是示出根据本公开实施例的另一处理设备的侧视图的示意图。

图2A是示出根据本公开实施例的另一衬底支架总成的前透视图。

图2B是沿图2A的切割线A-A截取的剖视图。

图2C是图2B的一部分的放大图。

图3是根据本公开其他实施例的额外的衬底支架总成的透视图。

所述附图未必按比例绘制。所述附图仅为示意图，并非旨在描绘本公开的具体参数。所述附图旨在示出本公开的示例性实施例，且因此不应被视为对范围进行限制。在所述附图中，相同的编号表示相同的元件。

具体实施方式