[发明专利]三维存储器器件有效
申请号: | 201980015450.9 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN111788685B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | F·D·菲什伯恩;C·L·英戈尔斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G11C11/40 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 器件 | ||
1.一种存储器器件,包括:
存储器单元的阵列,所述阵列是柱的三维阵列,每个柱具有垂直地堆叠在所述柱中的存储器单元,多个所述柱沿水平方向布置;
第一数字线,设置在所述阵列下方,所述第一数字线通过相应的第一选择器件沿所述水平方向耦合到所述柱中的每个柱;
第二数字线,位于所述阵列上方,所述第二数字线通过相应的第二选择器件沿所述水平方向耦合到所述柱中的每个柱;
第一读出放大器,耦合到所述第一数字线;
第二读出放大器,耦合到所述第二数字线;以及
输入/输出电路,耦合到所述第一读出放大器或所述第二读出放大器。
2.根据权利要求1所述的存储器器件,其中所述存储器器件包含控制电路系统,以经由耦合到所述柱中的一个柱中的第一存储器单元的存取线且经由耦合到所述一个柱的所述第一数字线或所述第二数字线中的一个,沿所述水平方向存取所述第一存储器单元,并且经由耦合到所述柱中的另一柱中的第二存储器单元的存取线且经由所述第一数字线或所述第二数字线中的另一个沿所述水平方向存取所述第二存储器单元。
3.根据权利要求2所述的存储器器件,其中所述控制电路系统为可操作的以在重叠的时间间隔中控制对所述第一存储器单元的存取和对所述第二存储器单元的存取。
4.根据权利要求1所述的存储器器件,其中每个柱中的所述存储器单元中的每一个是耦合到相应的柱的柱数字线的动态随机存取存储器单元,所述柱数字线耦合到所述相应的柱的所述相应的第一选择器件并耦合到所述相应的第二选择器件,且所述柱数字线是在所述相应的柱中沿所述相应的柱延伸的数字线。
5.根据权利要求1所述的存储器器件,其中所述存储器器件包含静态随机存取存储器,所述静态随机存取存储器被构造成存储来自沿所述水平方向的所述柱中的所选数目的柱中的每一个的存储器单元的位,所述静态随机存取存储器与所述存储器单元的阵列集成在管芯中。
6.根据权利要求5所述的存储器器件,其中所述静态随机存取存储器被构造成位于所述存储器单元的阵列下方。
7.根据权利要求6所述的存储器器件,其中所述存储器器件包含处理器,所述处理器设置在所述存储器单元的阵列下方的所述管芯中,以控制所述静态随机存取存储器。
8.根据权利要求1所述的存储器器件,其中所述存储器器件包含:与耦合到所述第一读出放大器或所述第二读出放大器中的一者的所述输入/输出电路一起的,耦合到所述第一读出放大器或所述第二读出放大器中的另一者的第二输入/输出电路。
9.一种存储器器件,包括:
存储器单元的阵列,位于管芯中,所述阵列是柱的三维阵列,每个柱具有垂直地堆叠在所述柱中的存储器单元,多个所述柱沿水平方向布置;
数字线,设置在所述阵列下方或所述阵列上方,所述数字线通过耦合到相应的柱的柱字线的相应的选择器件沿所述水平方向耦合到所述柱中的每个柱;
静态随机存取存储器高速缓存,与所述存储器单元的阵列集成在所述管芯中且设置在所述存储器单元的阵列下方;
读出放大器,耦合到所述数字线;以及
输入/输出电路,耦合到所述读出放大器。
10.根据权利要求9所述的存储器器件,其中所述存储器器件被布置成将数据从所述阵列读取到所述静态随机存取存储器高速缓存中且将所述数据写回到所述阵列。
11.根据权利要求10所述的存储器器件,其中所述存储器器件以近似10千兆位/秒的速率将所述数据从所述阵列读取到所述静态随机存取存储器高速缓存中,并且以大约5千兆位/秒到大约10千兆位/秒的间隔将所述数据写回到所述阵列。
12.根据权利要求9所述的存储器器件,其中所述阵列与所述静态随机存取存储器高速缓存共享所述数字线和所述读出放大器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的