[发明专利]三维存储器器件

说明书

使用三维存储器器件的系统和方法可用于各种应用中，所述三维存储器器件具有垂直地设置在沿水平方向布置的多个柱中的多个存储器单元。在各种实施例中，存储器单元的柱可设置在分别耦合到不同的读出放大器的下数字线与上数字线之间，以提供读取/写入操作和刷新操作。在各种实施例中，具有垂直地布置在柱中的存储器单元的阵列的三维存储器器件可包含读出放大器和具有静态随机存取存储器高速缓存的数字线，其中静态随机存取存储器高速缓存设置在同一管芯中的存储器单元的阵列下方。公开了附加的设备、系统和方法。

优先权申请

本申请要求在2018年2月27日提交的序列号为62/635,833的美国临时申请的优先权权益，所述申请通过引用整体并入本文。

背景技术

电子行业一直承受着降低组件大小和功率要求的压力，并且市场需要改善存储器器件的操作。减小组件大小的一种方法是以三维(3D)配置制作器件。使用柱存取器件和其他方法的3D存储器技术正在存储器行业中发展。3D技术的使用实现具有垂直地布置的存储器单元的存储器器件的存储阵列核心的更高的密度。举例来说，诸如动态随机存取存储器(DRAM)等存储器器件可被布置成在衬底上垂直地堆叠的存储器单元。由于DRAM的存储器阵列核心被布置成垂直的堆栈以用于管芯大小按比例缩放和成本节省，因此并未增加读出放大器(sense amps)的数目。用于垂直布置的读出放大器的这种缺少将损害存储器阵列的存储器单元的刷新性能。由于标准读出放大器为多垂直阵列核心提供服务，因此对垂直阵列核心的存取受到限制。实质上，DRAM的读出放大器正在被削弱。可通过存储器器件设计的进步来解决对3D存储器的改善。

附图说明

图1是根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的特征的图示，所述三维动态随机存取存储器包含沿水平方向布置在多个垂直的柱中的存储器单元的阵列。

图2是根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的特征的图示，所述三维动态随机存取存储器包含沿水平方向布置在多个垂直的柱中的存储器单元的阵列。

图3是根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的特征的图示，所述三维动态随机存取存储器包含沿水平方向布置在多个垂直的柱中的存储器单元的阵列。

图4是根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的特征的图示，所述三维动态随机存取存储器包含沿水平方向布置在多个垂直的柱中的存储器单元的阵列。

图5是根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的特征的图示，所述三维动态随机存取存储器包含沿水平方向布置在多个垂直的柱中的存储器单元的阵列。

图6A是根据各种实施例的三维动态随机存取存储器的示例性二维部分的示意图。

图6B是根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的电路图。

图6C示出根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的存储器操作的实例。

图7是根据各种实施例的示例性三维动态随机存取存储器的特征的图示，所述三维动态随机存取存储器被布置成沿垂直方向的多个水平层级。

图8是根据各种实施例的对存储器器件的存储器单元进行存取的示例性方法的流程图。

图9是根据各种实施例的操作三维存储器器件的示例性方法的流程图。

图10是根据各种实施例的动态随机存取存储器的特征的框图，在所述动态随机存取存储器中，可构造存储器单元的柱的三维结构和相关联的结构。

图11示出根据各种实施例的被布置成提供包含具有三维架构的存储器器件的多个电子组件的晶片的实例。

图12示出根据各种实施例的系统的框图，所述系统包含被构造成三维存储器器件的存储器。

具体实施方式