[发明专利]检查装置在审
申请号: | 201980015484.8 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN111788666A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 河西繁;小林将人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28;H01L21/26;H01L21/683 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 | ||
本发明提供一种检查装置,其使接触端子与电子器件电接触而检查该电子器件,该检查装置包括:载置台,其在内部具有供光可透射的致冷剂流通的致冷剂流路,该载置台的与被检查体的载置侧相反的一侧由光透射材料形成;光照射机构,其被配置成面对该载置台的与被检查体的载置侧相反的一侧的面,并具有面向被检查体的多个LED;以及控制部,其控制用致冷剂进行的吸热和用来自该LED的光进行的加热,以控制作为检查对象的电子器件的温度,该控制部基于所测量出的作为检查对象的电子器件的温度,来控制来自该LED的光输出,并且基于该LED的光输出来控制用致冷剂进行的吸热。
技术领域
(关联申请的相互参照)
本申请基于2018年3月5日在日本国提出申请的日本特愿2018-38843号主张优先权,并在此处引用其内容。
本发明涉及检查载置于载置台的电子器件的检查装置。
背景技术
在半导体制造工艺中,在半导体晶片(以下,称为“晶片”。)上形成具有规定的电路图案的大量电子器件。对所形成的电子器件进行电特性等的检查,甄别出合格品和不合格品。电子器件的检查例如是在被分割为各电子器件之前的晶片的状态下,使用检查装置进行的。
被称为检测器等的电子器件的检查装置(以下,称为“检测器”)包括具有大量针状的探针的探针卡、载置晶片的载置台和IC测试器(参照专利文献1)。该检测器使探针卡的各探针与对应于电子器件的电极地设置的电极焊盘、焊料凸块接触,将来自电子器件的信号传递至IC测试器以检查电子器件的电特性。此外,在专利文献1的检测器中,在检查电子器件的电特性时,为了再现该电子器件的安装环境,通过用载置台内的致冷剂流路、加热器控制载置台的温度,来控制晶片的温度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-135315号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
近年来,电子器件向高速化和微小化发展,集成度变高,工作时的发热量非常大,因此存在在晶片中检查一个电子器件时对相邻的其它电子器件施加热负荷而在该其它电子器件中产生不良状况的可能性。
作为防止产生该不良状况的方法,考虑在专利文献1的检测器中利用设置于载置台内的致冷剂流路和加热器控制检查中的电子器件的温度,抑制向其它电子器件施加热负荷的的方法。但是,在使用载置台内的致冷剂流路、加热器的情况下,虽然能够整体地控制晶片的温度,但是不能局部地、例如仅限于检查中的电子器件的附近地控制晶片的温度,并抑制向其它电子器件的施加热负荷。这是因为,致冷剂流路和加热器难以小型化,难以在载置台内局部地配置致冷剂流路和加热器。
因此,例如通过使对检查中的电子器件施加的电压比要在安装环境下施加的较高的安装电压小,以避免向相邻的其它电子器件施加热负荷。但是,其结果是,不能在封装电子器件之前发现施加安装电压时产生的不良状况,会产生降低封装的成品率,导致高成本的问题。
本发明的技术的目的在于,提供能够抑制电子器件的高成本的电子器件的检查装置。
用于解决技术问题的技术方案
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造