[发明专利]摄像装置在审
申请号: | 201980015801.6 | 申请日: | 2019-02-08 |
公开(公告)号: | CN111788688A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 大木进 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 乔焱;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
1.一种摄像装置,其包括:
像素区域和位于所述像素区域外部的外围区域;
受光元件,其被设置在所述像素区域中;
电路板,其被设置在所述像素区域和所述外围区域中,所述电路板包括半导体基板和多层配线层,所述多层配线层被设置在所述半导体基板和所述受光元件之间;
第一配线,其被设置在所述多层配线层中,并且所述第一配线被电连接到所述受光元件;
保护构件,其与所述电路板相对,所述保护构件和所述电路板将所述受光元件夹在中间;以及
扩展配线部,其在所述外围区域中被设置在所述半导体基板和所述保护构件之间,
所述扩展配线部的一端是开放的,并且所述扩展配线部的另一端被电连接到所述第一配线。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其还包括位于所述电路板的所述外围区域中的输入输出部,其中
所述扩展配线部被设置在所述输入输出部附近。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其中
所述输入输出部包括贯通电极,并且
所述扩展配线部被电连接到所述贯通电极。
4.根据权利要求3所述的摄像装置,其中
所述摄像装置设置有多个所述扩展配线部和多个所述贯通电极,并且
彼此相邻的所述扩展配线部之间的距离比彼此相邻的所述贯通电极之间的距离短。
5.根据权利要求3所述的摄像装置,其中
所述摄像装置设置有多个所述扩展配线部和多个所述贯通电极,并且
彼此相邻的所述扩展配线部之间的距离与彼此相邻的所述贯通电极之间的距离大致相等。
6.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述扩展配线部的所述一端被设置在所述电路板的边缘附近。
7.根据权利要求1所述的摄像装置,其还包括设置在所述外围区域中的保护环,其中
相比于所述保护环,所述扩展配线部的所述一端被设置在更靠近所述像素区域的位置处。
8.根据权利要求1所述的摄像装置,其中
所述多层配线层包括与所述受光元件电连接的第二配线,并且
所述扩展配线部的至少一部分包括被设置在与设置有所述第二配线的层相同的层中的配线。
9.根据权利要求1所述的摄像装置,其还包括被设置在所述受光元件和所述多层配线层之间的接合面处的接合部,其中
所述接合部包括Cu-Cu接合。
10.根据权利要求9所述的摄像装置,其中,所述扩展配线部包括所述接合部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的