[发明专利]用于光记录介质的记录层和光记录介质

权利要求书

1.一种光记录介质，包括：记录层，所述记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物，其中

所述金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，

所述金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，

所述金属MC是Zn，

所述金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，

所述金属ME是Nb，

所述金属MA的含量、所述金属MB的含量和所述金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71（其中a：所述金属MA相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子%]；b：所述金属MB相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子%]；以及e：所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子%]），并且

所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为5原子%以上且30原子%以下。

2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中

所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为20原子%以上且30原子%以下。

3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中

所述金属MA的含量、所述金属MB的含量和所述金属ME的含量满足下式表示的关系：0.43≤a/(b+e)≤0.71。

4.根据权利要求1所述的光记录介质，其中

所述金属MA相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为11原子%以上且22原子%以下，

所述金属MB相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为7原子%以上且26原子%以下，

所述金属MC相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为22原子%以上且25原子%以下，并且

所述金属MD相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为22原子%以上且33原子%以下。

5.根据权利要求1所述的光记录介质，其中

在所述光记录介质内，所述记录层较其他记录层距光照射表面最远。

6.根据权利要求1所述的光记录介质，进一步包括：

第一介电层，所述第一介电层设置在所述记录层的第一表面侧上；和

第二介电层，所述第二介电层设置在所述记录层的第二表面侧上。

7.根据权利要求1所述的光记录介质，进一步包括：

第一盘；和

第二盘，其中

所述第一盘和所述第二盘包括

具有第一表面和第二表面的基板，

设置在所述第一表面侧上的两个或更多个信息信号层，和

覆盖所述两个或更多个信息信号层的覆盖层，

所述第一盘的所述基板的所述第二表面和所述第二盘的所述基板的所述第二表面彼此贴合，并且

所述两个或更多个信息信号层中距光照射表面最远的信息信号层包括所述记录层。

8.根据权利要求7所述的光记录介质，其中

设置在所述第一表面侧上的所述信息信号层的层数为三层，

距所述光照射表面最远的所述信息信号层的反射率为3.0%以上且4.5%以下，并且

距所述光照射表面最远的所述信息信号层的最佳记录功率为23 mW以上。