[发明专利]用于光记录介质的记录层和光记录介质有效
申请号: | 201980016167.8 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN111788630B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 曽根康宏 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G11B7/24038 | 分类号: | G11B7/24038;C23C14/08;G11B7/24018;G11B7/2433;G11B7/257;G11B7/26 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 记录 介质 | ||
一种光记录介质,包括:记录层,所述记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物。金属MA是Mn和Ni中的至少一种,金属MB是W、Mo、Zr和Ta中的至少一种,金属MC是Zn,金属MD是Cu和Ag中的至少一种,并且金属ME是Nb。金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系:0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a:金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子%];b:金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子%];以及e:金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子%]),并且金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子%以上且30原子%以下。
技术领域
本公开内容涉及用于光记录介质的记录层和光记录介质。
背景技术
近年来,为了增加记录容量,在光记录介质中已广泛采用使记录层具有多层的技术。作为多层光记录介质的记录层的材料,已经提出了包含选自由W和Mo构成的群组中的至少一种金属的氧化物和选自由Cu、Mn、Ni和Ag构成的群组中的至少一种金属的氧化物的材料(例如,参见专利文献1)。
引文列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请待审公开第2013-86336号
发明内容
在多层光记录介质中,对于位于距光照射表面最远位置处的记录层,期望在保持良好的再现耐久性(热耐久性)的同时提高反射率。
本公开内容的目的是提供一种能够在保持良好的再现耐久性的同时提高反射率的用于光记录介质的记录层、以及包括该记录层的光记录介质。
为了实现上述目的,第一公开内容是一种光记录介质,包括:记录层,所述记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物,其中
金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种,
金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种,
金属MC是Zn,
金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种,
金属ME是Nb,
金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系:0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a:金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子%];b:金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子%];以及e:金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子%]),并且
金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子%以上且30原子%以下。
第二公开内容是用于光记录介质的记录层,包括:
金属MA的氧化物;
金属MB的氧化物;
金属MC的氧化物;
金属MD的氧化物;和
金属ME的氧化物,其中
金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种,
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