[发明专利]发光元件及该发光元件的制造方法在审
申请号: | 201980016369.2 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN111801806A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 闵大泓;尹俊皓;郭雨澈;许珍又;白龙贤 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00;H01L21/027;H01L33/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种发光元件,包括:
基板;
多个突出图案,从所述基板突出;
第一半导体层,设置于所述基板上;
活性层,设置于所述第一半导体层上;及
第二半导体层,设置于所述活性层上,
其中,各突出图案包括:
第一层,与所述基板形成为不分离的一体,并且从所述基板的上表面突出;及
第二层,设置于所述第一层上,利用与所述第一层不同的材料构成,
其中,当彼此相邻的两个突出图案的中心之间的间距称为峰间距时,所述突出图案的直径和所述峰间距的比是0.8至1.0。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中,所述各突出图案的直径是2.5μm至3.5μm,所述峰间距是2.5μm以上且小于3.5μm。
3.如权利要求2所述的发光元件,其中,所述各突出图案的直径是2.6μm至2.8μm,所述峰间距是2.9μm至3.1μm。
4.如权利要求3所述的发光元件,其中,所述各突出图案的直径是2.8μm。
5.如权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一层和所述第二层的高度比是0.2至1.5。
6.如权利要求5所述的发光元件,其中,所述第一层和所述第二层的高度比是0.75至1.5。
7.如权利要求6所述的发光元件,其中,所述第二层的高度大于第一层的高度。
8.如权利要求1所述的发光元件,其中,所述突出图案的直径与所述峰间距相同或小于所述峰间距。
9.如权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一层的侧面倾斜度和第二层的侧面倾斜度彼此不同。
10.如权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一半导体层中在与所述突出图案的侧部对应的一部分区域设置有空洞。
11.一种发光元件,包括:
基板;
多个突出图案,包括第一层和第二层,所述第一层与所述基板形成为不分离的一体,并从所述基板的上表面突出,所述第二层设置于所述第一层上,并利用与所述第一层不同的材料构成;及
发光层叠体,设置于所述基板上并射出光,
其中,所述发光层叠体具有设置于所述突出图案的所述第一层的至少一侧的空洞,所述第一层和所述第二层的高度的比是大于2.5且小于9.5。
12.如权利要求11所述的发光元件,其中,
所述发光层叠体包括:
第一半导体层,设置于所述基板上;
活性层,设置于所述第一半导体层上;及
第二半导体层,设置于所述活性层上,
其中,所述空洞设置于所述第一半导体层。
13.如权利要求12所述的发光元件,其中,
所述空洞的最上部和所述第一层的最上部的从所述基板表面的高度相同。
14.如权利要求13所述的发光元件,其中,
当从平面上观察时所述第一层的上表面具有圆形形状时,所述空洞与内接于所述圆形的正六边形的顶点对应而设置。
15.如权利要求14所述的发光元件,其中,
沿垂直于所述基板的上表面且经过所述圆形的中心的面切割时,所述空洞的形状具有直角三角形形状,所述直角三角形的斜边是所述第一层的侧面。
16.如权利要求11所述的发光元件,其中,
所述第一层和所述第二层的高度的比是大于2.5且小于9.5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司,未经首尔伟傲世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980016369.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:个人防护设备识别系统
- 下一篇:记录和重新创建界面导航过程