[发明专利]发光元件及该发光元件的制造方法

说明书

发光元件包括：基板；多个突出图案，从所述基板突出；第一半导体层，设置于所述基板上；活性层，设置于所述半导体层上；及第二半导体层，设置于活性层上，其中，各突出图案包括：第一层，与所述基板形成为不分离的一体，并且从所述基板的上表面突出；及第二层，设置于所述第一层上，利用与所述第一层不同的材料构成。

技术领域

本发明涉及一种发光元件及该发光元件的制造方法。

背景技术

作为自身发光的光源中的一个，最近大多使用发光二极管(Light EmittingDiode：LED)。发光二极管利用化合物半导体的特性将电信号转换为如红外线、可视光线、紫外线等的光的形态。随着发光元件的光效率增加，发光元件正应用于如显示装置、照明设备等多种领域。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种光提取效率及可靠性较高的发光元件及该发光元件的制造方法。

技术方案

根据本发明的一实施例的发光元件包括：基板；多个突出图案，从所述基板突出；第一半导体层，设置于所述基板上；活性层，设置于所述半导体层上；及第二半导体层，设置于活性层上，其中，各突出图案包括：第一层，与所述基板形成为不分离的一体，并且从所述基板的上表面突出；及第二层，设置于所述第一层上，利用与所述第一层不同的材料构成，其中，当彼此相邻的两个突出图案的中心之间的间距称为峰间距时，所述突出图案的直径和所述峰间距的比是0.8至1.0。

根据本发明的一实施例，所述各突出图案的直径可以是2.5μm至3.5μm，所述峰间距可以是2.5μm以上且小于3.5μm。

根据本发明的一实施例，所述各突出图案的直径可以是2.6μm至2.8μm，所述峰间距可以是2.9μm至3.1μm。

根据本发明的一实施例，所述各突出图案的直径可以是2.8μm。

根据本发明的一实施例，所述第一层和所述第二层的高度比可以是0.2至1.5，并且，所述第一层和所述第二层的高度比可以是0.75至1.5。或者，所述第二层的高度可以大于第一层的高度。

根据本发明的一实施例，所述突出图案的直径可以与所述峰间距相同或小于所述峰间距。

根据本发明的一实施例，所述第一层的侧面倾斜度和第二层的侧面倾斜度可以彼此不同。

根据本发明的一实施例，所述第一半导体层中在与所述突出图案的侧部对应的一部分区域可设置有空洞。

根据本发明的一实施例的发光元件可包括：基板；多个突出图案，包括第一层和第二层，所述第一层与所述基板形成为不分离的一体，并从所述基板的上表面突出，所述第二层设置于所述第一层上，并利用与所述第一层不同的材料构成；及发光层叠体，设置于所述基板上并射出光，其中，所述发光层叠体具有设置于所述突出图案的所述第一层的至少一侧的空洞，所述第一层和所述第二层的高度的比是大于2.5且小于9.5。

根据本发明的一实施例，所述发光层叠体可包括：第一半导体层，设置于所述基板上；活性层，设置于所述第一半导体层上；及第二半导体层，设置于所述活性层上，其中，所述空洞设置于所述第一半导体层。

根据本发明的一实施例，所述空洞的最上部和所述第一层的最上部的从所述基板表面的高度可以相同。

根据本发明的一实施例，当从平面上观察时所述第一层的上表面具有圆形形状时，所述空洞可与内接于所述圆形的正六边形的顶点对应而设置。

根据本发明的一实施例，沿垂直于所述基板的上表面且经过所述圆形的中心的面切割时，所述空洞的形状可具有直角三角形形状，所述直角三角形的斜边可以是所述第一层的侧面。