[发明专利]三维半导体结构的可视化在审
申请号: | 201980016475.0 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN111837226A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | A·J·罗森贝格;J·伊洛雷塔;T·G·奇乌拉;A·吉里纽;徐寅;徐凯文;J·亨奇;A·贡德;A·韦尔德曼;列-关·里奇·利;H·舒艾卜 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B15/04;G01N23/201;H01L29/78;H01L27/108 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 半导体 结构 可视化 | ||
1.一种半导体结构可视化的方法,其包括:
在半导体计量工具中:
在包括半导体逻辑电路或半导体存储器电路中的至少一者的半导体晶片上,检验所述半导体晶片的包含在至少一个维度上周期性地布置的一个三维3D半导体结构的多个例子的区域;及
在包括一或多个处理器及存储通过所述一或多个处理器执行的指令的存储器的计算机系统中:
基于所述检验产生所述3D半导体结构的相应例子的模型;
呈现展示所述模型的3D形状的所述模型的图像;及
将所述图像提供到装置以用于显示。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述图像包括将在两个维度上显示的所述模型的投影。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述图像包括其中通过轮廓线连接多个横截面的所述模型的架构视图,其中所述架构视图将在两个维度上显示。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述图像包括:
所述3D半导体结构的所述相应例子的顶表面或底表面中的至少一者;及
所述3D半导体结构的所述相应例子的介于所述顶表面与所述底表面之间的用户可选半透明横截面。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述图像展示针对所述模型中的所述3D形状的不确定性。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述图像指示所述3D形状或所述3D形状的横截面与标称形状的偏差。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述图像包括连续地展示所述3D形状的连续部分的动画。
8.根据权利要求1所述的方法,其中:
呈现所述图像包括呈现扩增现实或虚拟现实AR/VR图像;且
提供所述图像包括将所述AR/VR图像发送到AR/VR观看装置以用于显示。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述AR/VR图像是从第一视角呈现的所述模型的第一AR/VR图像,所述方法进一步包括,在将所述第一AR/VR图像发送到所述AR/VR观看装置以用于显示之后:
接收请求视角的改变的用户输入;
响应于所述用户输入,从第二视角呈现所述模型的第二AR/VR图像;及
将所述第二AR/VR图像发送到所述AR/VR观看装置以用于显示。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述AR/VR图像是具有对应于如基于在所述检验期间收集的测量确定的所述模型的参数的值的外观的所述模型的第一AR/VR图像,所述方法进一步包括,在将所述第一AR/VR图像发送到所述AR/VR观看装置以用于显示之后:
接收请求所述参数的所述值的改变的用户输入;
响应于所述用户输入,改变用于所述模型的所述参数的所述值;
呈现具有对应于所述改变值的外观的所述模型的第二AR/VR图像;及
将所述第二AR/VR图像发送到所述AR/VR观看装置以用于显示。
11.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述图像是3D立体图像;且
提供所述图像包括将所述图像发送到3D立体观看器。
12.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述3D半导体结构的所述多个例子包括3D存储器中的存储器孔的周期性布置;且
所述3D半导体结构的所述相应例子包括相应存储器孔。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述图像展示针对所述相应存储器孔的多个横截面的所述存储器孔的椭圆形状。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述图像展示针对所述多个横截面的所述相应存储器孔的螺旋度,其中所述螺旋度指示所述椭圆形状的定向的变化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造