[发明专利]三维半导体结构的可视化在审

专利信息
申请号: 201980016475.0 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN111837226A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: A·J·罗森贝格;J·伊洛雷塔;T·G·奇乌拉;A·吉里纽;徐寅;徐凯文;J·亨奇;A·贡德;A·韦尔德曼;列-关·里奇·利;H·舒艾卜 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01B15/04;G01N23/201;H01L29/78;H01L27/108
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘丽楠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 三维 半导体 结构 可视化
【说明书】:

一种半导体计量工具检验半导体晶片的区域。所述经检验区域包含在至少一个维度上周期性地布置的3D半导体结构的多个例子。计算机系统基于在所述检验期间收集的测量产生所述3D半导体结构的相应例子的模型。所述计算机系统呈现展示所述模型的3D形状的所述模型的图像且将所述图像提供到装置以用于显示。

技术领域

发明涉及半导体计量,且更明确来说,涉及产生展示半导体结构的三维(3D)性质的可视化。

背景技术

可使用各种类型的计量(例如不同类型的光学计量及小角度x射线散射(SAXS))特性化三维半导体结构。然而,所得测量的不充分可视化可引起数据被忽视或未被充分理解。此数据对于对半导体制造工艺进行调试,提高工艺的良率及可靠性或预测半导体装置的性能可为重要的。不充分可视化还使得与参考数据(例如来自临界尺寸扫描电子显微术(CD-SEM)及透射电子显微术(TEM)的数据)的比较变困难。

发明内容

因此,需要用于可视化3D半导体结构的改进技术。此类结构的实例包含(但不限于)3D存储器(例如,3D快闪存储器)中的存储器孔、finFET及DRAM单元。

在一些实施例中,一种半导体结构可视化的方法包含:在半导体计量工具中,检验半导体晶片的区域。所述半导体晶片可包含半导体逻辑电路或半导体存储器电路中的至少一者。所述经检验区域包含在至少一个维度上周期性地布置的3D半导体结构的多个例子。所述方法还包含:在包括一或多个处理器及存储通过所述一或多个处理器执行的指令的存储器的计算机系统中,基于所述检验产生所述3D半导体结构的相应例子的模型。所述方法进一步包含:在所述计算机系统中呈现展示所述模型的3D形状的所述模型的图像及将所述图像提供到装置以用于显示。

在一些实施例中,一种半导体检验系统包含半导体计量工具及具有一或多个处理器及存储由所述一或多个处理器执行的一或多个程序的存储器的计算机系统。所述一或多个程序包含用于执行以上方法的全部或一部分的指令。在一些实施例中,一种非暂时性计算机可读存储媒体存储经配置以由计算机系统执行的一或多个程序。所述一或多个程序包含用于执行以上方法的全部或一部分的指令。

附图说明

为更好地理解各个所描述实施例,应结合以下图式参考下文实施方式。

图1A展示显示存储器孔的沿着其深度的CD轮廓的变化的图表。

图1B展示显示存储器孔的沿着其深度的倾斜度的图表。

图2展示根据一些实施例的半导体结构可视化的方法的流程图。

图3A展示根据一些实施例的图像,所述图像是具有多个存储器孔的3D半导体存储器装置的经建模切片的等角投影。

图3B展示根据一些实施例的图像,所述图像是两个finFET的经建模部分的等角投影。

图4A到4D展示根据一些实施例的从不同视角呈现的经建模存储器孔的图像。

图5A及5B展示根据一些实施例的图像,所述图像是相应经建模存储器孔的透视图。

图6展示根据一些实施例的图像,所述图像包含经建模存储器孔的透视图连同在各种深度处的模型的横截面。

图7A到7C展示根据一些实施例的相应经建模存储器孔的架构视图。

图8A及8B展示根据一些实施例的在具有存储器孔的半导体中的经建模体积的不透明及半透明图像。

图9展示根据一些实施例的图像,所述图像包含经建模存储器孔的底表面及用户可选横截面。

图10是根据一些实施例的半导体检验系统的框图。

贯穿图式及说明书,相同元件符号指代对应部分。

具体实施方式

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