[发明专利]接合体和弹性波元件

说明书

提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si_(1‑x)O_x(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于：接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。

技术领域

本发明涉及压电性单晶基板与支撑基板的接合体、以及利用该接合体的弹性波元件。

背景技术

已知移动电话等中所使用的能够作为滤波元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小变化，抑制作为弹性表面波器件的频率特性的变化。

在专利文献1中提出了具备用包含环氧粘接剂的粘接层将压电性单晶基板与硅基板贴合而成的结构的弹性表面波器件。

在将压电基板与硅基板接合时，已知在压电基板表面形成氧化硅膜，经由氧化硅膜将压电基板与硅基板直接接合。该接合时，对氧化硅膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接接合(专利文献2)。

另外，已知所谓的FAB(快原子束，Fast Atom Beam)方式的直接接合法。在该方法中，在常温下对各接合面照射中性化原子束来进行活化，实施直接接合(专利文献3)。

记载了将压电性单晶基板经由中间层直接接合于由陶瓷(氧化铝、氮化铝、氮化硅)形成的支撑基板，而不是直接接合于硅基板(专利文献4)。该中间层的材质为硅、氧化硅、氮化硅、氮化铝。

另外，还记载了在将压电基板与支撑基板用有机粘接层粘接时，通过使支撑基板对压电基板的粘接面的Rt(粗糙度曲线的最大截面高度)为5nm以上50nm以下，从而获得应力缓和所产生的防开裂效果(专利文献5)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-187373

专利文献2：美国专利第7213314B2

专利文献3：日本特开2014-086400

专利文献4：日本专利第3774782

专利文献5：实用新型注册第3184763

发明内容

但是，根据接合体的用途，希望通过提高接合层处的电阻来提高绝缘性。例如，在弹性波元件的情况下，通过提高接合层的绝缘性，能够减少噪声、损失。但是，利用高电阻的接合层很难以高强度将支撑基板接合于压电性单晶基板，在后面的加工工序中在压电性单晶基板与支撑基板之间容易发生剥离，并且存在弹性波元件的Q值下降的倾向。

本发明的课题在于：对于包括由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板、压电性单晶基板、和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度、并且提高Q值。

本发明的接合体的特征在于，具备：

支撑基板，所述支撑基板由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；

压电性单晶基板；以及