[发明专利]使用深隔离的FinFET技术

权利要求书

1.一种PN结，包括：

第一P型FinFET晶体管；

第一N型FinFET晶体管，与所述第一P型FinFET晶体管相邻设置；以及

第一氧化物隔离层，将所述第一N型FinFET晶体管与相邻的所述第一P型FinFET晶体管横向分离，所述第一氧化物隔离层的厚度大于150nm。

2.根据权利要求1所述的PN结，其中所述第一P型FinFET晶体管包括：

第二氧化物隔离层，设置在所述第一P型FinFET晶体管的与所述第一氧化物隔离层相对的一侧上，所述第二氧化物隔离层的厚度小于所述第一氧化物隔离层的厚度的一半。

3.根据权利要求2所述的PN结，其中所述第一氧化物隔离层的厚度是所述第二氧化物隔离层的厚度的至少三倍。

4.根据权利要求1至3所述的PN结，其中所述PN结的β_ηρη·β_PηP乘积增益小于1。

5.根据权利要求1所述的PN结，还包括：

第二P型FinFET晶体管，与所述第一P型FinFET晶体管相邻设置；以及

第二氧化物隔离层，将所述第一P型FinFET晶体管与相邻的所述第二P型FinFET晶体管横向分离，所述第二氧化物隔离层的厚度小于所述第一氧化物隔离层的厚度的一半。

6.根据权利要求5所述的PN结，其中所述第二氧化物隔离层的所述厚度小于80nm，而所述第一氧化物隔离层的所述厚度大于200nm。

7.根据权利要求5所述的PN结，其中所述第一P型FinFET晶体管与相邻的所述第二N型FinFET晶体管之间限定的所述第一氧化物隔离层的宽度大于所述第一P型FinFET晶体管与相邻的所述第二P型FinFET晶体管之间限定的所述第二氧化物隔离层的宽度。

8.根据权利要求1所述的PN结，还包括：

第二N型FinFET晶体管，与所述第一N型FinFET晶体管相邻设置；以及

第二氧化物隔离层，将所述第一N型FinFET晶体管与相邻的所述第二N型FinFET晶体管横向分离，所述第二氧化物隔离层的厚度小于所述第一氧化物隔离层的所述厚度。

9.根据权利要求8所述的PN结，其中所述第二氧化物隔离层的厚度小于80nm，而所述第一氧化物隔离层的厚度大于200nm。

10.根据权利要求8所述的PN结，其中所述第一氧化物隔离层的宽度大于所述第二氧化物隔离层的宽度。

11.根据权利要求1所述的PN结，还包括：

第二FinFET晶体管，与所述第一P型FinFET晶体管和所述第一N型FinFET晶体管中的一个FinFET晶体管相邻设置，所述第二FinFET晶体管的类型与所述第一P型FinFET晶体管和所述第一N型FinFET晶体管中的较近FinFET晶体管的类型相同；以及

第二氧化物隔离层，将所述第二FinFET晶体管与所述第一P型FinFET晶体管和所述第一N型FinFET晶体管中的相邻的所述一个FinFET晶体管横向分离，所述第二氧化物隔离层的厚度基本上等于所述第一氧化物隔离层的所述厚度。

12.一种用于形成PN结的方法，所述方法包括：

对半导体衬底进行蚀刻以形成多个高纵横比鳍，所述多个高纵横比鳍包括由第一高纵横比沟槽分离的第一高纵横比鳍和第二高纵横比鳍；

使用氧化物材料填充所述第一高纵横比沟槽；

除去填充所述第一高纵横比沟槽的所述氧化物材料的一部分；以及

停止除去填充所述第一高纵横比沟槽的所述氧化物材料以形成厚度至少为150nm的第一氧化物隔离层。