[发明专利]溅射靶材有效
| 申请号： | 201980018145.5 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111836913B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 森晓;熊谷训;谷雨;佐藤雄次 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/06;C22C9/08;H01L21/285;C22F1/00;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
1.一种溅射靶材，其特征在于，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，
当通过电子背散射衍射法观察所述溅射靶材，将不包括双晶的以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1，并将极图的强度的最大值设为X2时，
满足式（1）：2500＞19×X1+290×X2，其中，所述平均晶粒直径的单位为μm，
并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差KAM为2.0°以下，
所述溅射靶材的相对密度为95%以上。
2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，
通过电子背散射衍射法测定的同一晶粒内的一个测定点与其他所有测定点之间的晶体取向差的平均值GOS为4°以下。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶材，其特征在于，含有合计10质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上。
4.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，
当通过电子背散射衍射法观察所述溅射靶材，将不包括双晶的以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1，并将极图的强度的最大值设为X2时，
满足式（2）：1600＞11×X1+280×X2，其中，所述平均晶粒直径的单位为μm。
5.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，
通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差KAM为1.5°以下。
6.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，其由铜粉的烧结体构成。
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