[发明专利]溅射靶材

说明书

本发明提供一种溅射靶材，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，当通过电子背散射衍射法进行观察，将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm)，并将极图的强度的最大值设为X2时，满足式(1)：2500＞19×X1+290×X2，并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95％以上。

技术领域

本发明涉及一种溅射靶材，该溅射靶材在形成在例如半导体装置、液晶或有机EL面板等平板显示器、触摸面板等中用作配线膜等的铜膜时所使用。

本申请主张基于2019年1月7日于日本申请的专利申请2019-000733号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，作为半导体装置、液晶或有机EL面板等平板显示器、触摸面板等配线膜广泛使用Al。近年来，谋求配线膜的微细化(狭窄化)及薄膜化，并要求比电阻比以往低的配线膜。

因此，随着上述配线膜的微细化及薄膜化，提供一种由比电阻比Al低的材料即铜(Cu)构成的配线膜。

上述配线膜通常使用溅射靶在真空气氛中成膜。在此，当使用溅射靶进行成膜时，由于溅射靶内的异物而可能发生异常放电(电弧放电)，因此可能无法形成均匀的配线膜。在此，异常放电是与通常溅射时相比非常高的电流突然急剧流过而导致急剧产生异常大的放电的现象，若产生这种异常放电，则可能会成为产生颗粒的原因，或导致配线膜的膜厚变得不均匀。因此，期望尽可能地避免成膜时的异常放电。

因此，下述专利文献1～7中提出了抑制纯铜系的溅射靶在成膜时产生异常放电的技术。

专利文献1中提出了一种热轧铜板，其由纯度为99.99质量％以上的纯铜构成，平均晶粒直径为40μm以下，并且限定了(Σ3+Σ9)晶界长度比率。

专利文献2中提出了一种高纯度铜溅射靶材，其中，除O、H、N、C以外的Cu的纯度为99.99998质量％以上，并且限定Al、Si、Fe、S、Cl、O、H、N、C的含量的上限的同时，限定了大倾角晶界长度的比率。

专利文献3中提出了一种高纯度铜溅射靶材，其中，除O、H、N、C以外的Cu的纯度为99.99998质量％以上，并且限定Al、Si、Fe、S、Cl、O、H、N、C的含量的上限的同时，限定了通过使用电子背散射衍射的晶体取向测定而获得的晶体取向的局部取向差。

专利文献4中提出了一种高纯度铜溅射靶材，其中，除O、H、N、C以外的Cu的纯度为99.99998质量％以上，并且限定Al、Si、Fe、S、Cl、O、H、N、C的含量的上限的同时，限定了通过程序升温脱附气体分析装置释放的释放气体的分子数。

专利文献5中提出了一种高纯度铜溅射靶材，其中，除O、H、N、C以外的Cu的纯度为99.99998质量％以上，并且限定Al、Si、Fe、S、Cl、O、H、N、C的含量的上限的同时，限定了通过使用电子背散射衍射的晶体取向测定而获得的、同一晶粒内的一个测定点与其他所有测定点之间的晶体取向差的平均值。

专利文献6中提出了一种高纯度铜溅射靶材，其中，除O、H、N、C以外的Cu的纯度为99.99998质量％以上，并且限定Al、Si、Fe、S、Cl、O、H、N、C的含量的上限的同时，限定了通过使用电子背散射衍射的晶体取向测定而获得的、靶的溅射面上具有＜113＞±10°的面取向的晶体的面积比率。

专利文献7中提出了一种高纯度铜溅射靶材，其中，除O、H、N、C以外的Cu的纯度为99.99998质量％以上，并且限定Al、Si、Fe、S、Cl、O、H、N、C的含量的上限的同时，限定了通过程序升温脱附气体分析装置释放的气体成分中的H₂O气体分子数。

专利文献1：日本特开2014-201814号公报