[发明专利]用3D-IC技术制造的基于事件的视觉传感器

权利要求书

1.一种基于事件的视觉传感器，包括垂直连接的堆叠管芯。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述像素阵列的每个像素的光敏装置在暴露于照明的管芯中，并且对于光捕获无用的其他装置在其他管芯中。

3.根据权利要求1所述的传感器，还包括用于管芯之间的所述像素阵列的每个像素的至少一个连接件。

4.根据权利要求1所述的传感器，还包括第一管芯中的像素阵列的每个像素的光电二极管和第二管芯中的像素阵列的每个像素的相应事件检测器以及所述第一管芯和所述第二管芯之间的互连件，以将所述光电二极管连接到相应事件检测器。

5.根据权利要求4所述的传感器，其中，所述第一管芯使用正面照明架构。

6.根据权利要求4所述的传感器，其中，所述第一管芯使用背面照明架构。

7.根据权利要求4所述的传感器，其中，所述像素阵列的每个像素的感光电路位于所述第二管芯上。

8.根据权利要求4所述的传感器，其中，所述像素阵列的每个像素的感光电路位于所述第一管芯上。

9.根据权利要求4所述的传感器，其中，所述像素阵列的每个像素的感光电路分布在所述第一管芯和所述第二管芯之间。

10.根据权利要求4所述的传感器，还包括所述第一管芯中的额外放大级。

11.根据权利要求4所述的传感器，还包括在所述第一管芯中的光敏装置和多个n-FET晶体管以及在所述第二管芯中的n-FET晶体管和p-FET晶体管两者。

12.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一管芯和所述第二管芯上的晶体管之间的晶体管特性不同，包括不同的栅极氧化物厚度或不同的注入物。

13.一种用于制造基于事件的视觉传感器的方法，包括：

在不同的晶片或管芯中制造像素阵列的每个像素的不同装置；并且

堆叠所述晶片或管芯。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括使用Cu-Cu连接件来连接每个像素。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括在第一晶片或管芯中制造所述像素阵列的每个像素的光电二极管以及在第二晶片或管芯中制造所述像素阵列的每个像素的相应事件检测器。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一晶片或管芯使用正面照明架构。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一晶片或管芯使用背面照明架构。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述像素阵列的每个像素的感光电路位于所述第二晶片或管芯上。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述像素阵列的每个像素的感光电路位于所述第一晶片或管芯上。

20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述像素阵列的每个像素的感光电路分布在所述第一晶片和所述第二晶片或管芯之间。