[发明专利]液处理装置和液处理方法

说明书

本发明提供一种能够抑制异物混入要供给到基片的处理液中的液处理装置。装置构成为，包括：将从处理液供给源(23)供给的用于处理基片的处理液释放到该基片的喷嘴(22)；将上述处理液供给源(23)和上述喷嘴(22)连接的主流路；设置于上述主流路的过滤器(26)；从上述主流路分支的分支管路(41A)；设置于上述分支管路(41A)的端部的泵(42)；和控制部(10)，其输出控制信号以进行第一步骤和接着的第二步骤，其中，上述第一步骤用上述泵(42)进行吸液以使得从上述处理液供给源(23)供给来的上述处理液流入上述分支管路(41A)，上述第二步骤从上述泵(42)向上述分支管路(41A)释放比该分支管路(41A)的容量少的量的该处理液以从上述喷嘴(22)释放上述处理液。

技术领域

本发明涉及对基片供给处理液来进行处理的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工艺中，进行对作为基片的半导体晶片(以下记作晶片)供给处理液的液处理，作为该液处理，有对晶片供给例如抗蚀剂等涂敷液来形成涂敷膜的处理。进行这种液处理的液处理装置具有泵。而且，贮存于贮存部中的处理液被该泵吸引，被加压输送到喷嘴。例如专利文献1中给出了这种液处理装置的一例。

泵被驱动以进行处理液的吸引和释放并且具有较大的液接触面积以吸引并贮存处理液，因此有可能在该泵中颗粒作为异物混入到处理液中。上述专利文献1中没有记载应对这种问题的方法。因此，寻求一种技术，防止因像这样混入了异物的处理液而导致对晶片的处理发生异常的情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-140001号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制异物混入要供给到基片的处理液中的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的液处理装置的特征在于，包括：将从处理液供给源供给的用于处理基片的处理液释放到该基片的喷嘴；

将上述处理液供给源和上述喷嘴连接的主流路；

设置于上述主流路的过滤器；

从上述主流路的分支点分支的分支管路；

设置于上述分支管路的端部的泵；和

控制部，其输出控制信号以反复进行包括第一步骤和接着的第二步骤的循环，其中，上述第一步骤用上述泵进行吸液以使得上述处理液从上述主流路的上述分支点的上游侧流入上述分支管路，上述第二步骤从上述泵向上述分支管路释放比该分支管路的容量少的量的该处理液以从上述喷嘴释放上述处理液。

发明效果

依照本发明，能够抑制异物混入要供给到基片的处理液中。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的抗蚀剂涂敷装置的结构图。

图2是构成上述抗蚀剂涂敷装置的泵和配管的示意图。

图3是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流的说明图。

图4是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流动的说明图。

图5是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流动的说明图。

图6是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流动的说明图。

图7是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂的状态的说明图。

图8是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂的状态的说明图。