[发明专利]用于光刻系统的束形成和照明系统、光刻系统和方法

说明书

本发明涉及一种光刻设备(100A，100B)的束形成和照明系统(200)，特别是EUV光刻系统的束形成和照明系统，其包括：光学元件(202，204，206，208)，以及调节装置(700)，该调节装置设计为在束形成和照明系统(200)的加热阶段期间测量束形成和照明系统(200)的场位置和/或光瞳位置，并且根据所测量的场位置和/或光瞳位置调节光学元件(202，204，206，208)的取向和/或位置，以便将光学元件(202，204，206，208)保持在期望位置(SL)中。

本发明涉及用于光刻设备的束成形和照明系统，涉及具有这样的束成形和照明系统的光刻设备，并且涉及用于调节这样的束成形和照明系统的方法。

通过引用将优先权申请DE 10 2018 203 925.9的全部内容并入本文。

微光刻用于制造微结构部件，例如集成电路。使用具有照明系统和投射系统的光刻设备执行微光刻工艺。通过照明系统照明的掩模(掩模母版)的像，在这种情况下，通过投射系统投射至涂有感光层(光刻胶)且布置在投射系统的像平面中的基板(例如硅晶片)上，以便将掩模结构转印至基板的感光涂层。

由在集成电路制造中更小的结构的期望驱动，目前正在发展的是EUV光刻设备，该EUV光刻设备使用的光的波长在0.1nm至30nm，尤其是13.5nm的范围中。在这种EUV光刻设备的情况中，因为该波长的光被大多数材料高度吸收，不得不使用反射光学单元，也就是说反射镜，替代前述的折射光学单元，也就是说透镜元件。

通常，在曝光操作的一些时间之后可能需要交换单独的光学单元。例如，在曝光操作中，锡可能从用锡等离子体操作的EUV光源中进入照明系统。这可能导致光学单元的退化。交换单独光学单元应该可以是有利的，而不用拆卸和安装整个照明系统，并且优选地在EUV光刻设备的操作站点处进行并且具有最短可能的停机时间。在交换后，可能必须调节光学单元以便实现用于曝光操作的最优场位置和光瞳位置。此外，在照明系统的加热阶段期间已经调节光学单元也可以是有利的，以便即使在加热阶段期间也能实现最优场位置和光瞳位置。这意味着在加热阶段期间已经开始曝光操作应该可以是有利的，以便实现最短可能的停机时间。

DE 10 2016 203 990 A1描述了制造EUV光刻设备的照明系统的方法。方法包括调节EUV光刻设备的照明系统的反射镜模块的位置。在此，基于来自移动测量系统的测量值，调节反射镜模块。

针对此背景，本发明的目的是在光刻设备中提供改进的束成形和照明系统。

因此，提出了光刻设备的，特别是EUV光刻设备的，束成形和照明系统。束成形和照明系统包括光学元件和调节装置，该调节装置配置为在束成形和照明系统的加热阶段期间测量束成形和照明系统的场位置和/或光瞳位置，并且根据测量的场位置和/或光瞳位置调节光学元件的取向和/或位置，以便将光学元件保持在目标定位中。

因为在加热阶段期间调节光学元件，所以可以在加热阶段期间尽早地开始束成形和照明系统或光刻设备的曝光操作。因此，可以显著缩短束成形和照明系统或光刻设备的停机时间，例如在已经交换光学元件之后。因此，可以在持续的曝光操作期间，重新调节光学元件的调节。借助于调节装置，光学元件可以有利地保持在与其温度无关的规范中。

特别是，可以在持续的曝光操作期间实行测量，并且可以重新调节光瞳位置。例如，在预定的时间间隔，例如在两小时的时间间隔中可以实行测量。光学元件与其目标定位的任意偏离则可以在该时间间隔内在各个情况下重新调节。当交换晶片堆叠体(或批)时或当甚至在交换晶片时，可以有利地调节光学元件。这允许节省时间。此外，来自较早实行的曝光操作或较早实行的加热阶段的测量还可以用于调节光学元件。以这种方法，可以省略加热阶段期间的测量。这同样有助于节省时间。

特别是，调节装置配置为：根据测量的场位置和/或光瞳位置，连续地调节束成形和照明系统的加热阶段期间的光学元件的取向和/或位置，以便将光学元件保持在目标定位中。在此，“连续地”优选地理解为意味着在整个加热阶段或至少在大部分加热阶段期间借助于调节装置可以调节光学元件。