[发明专利]用于半导体器件封装制造工艺的平坦化在审
申请号: | 201980019163.5 | 申请日: | 2019-02-15 |
公开(公告)号: | CN111868920A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 陈翰文;S·文哈弗贝克;R·胡克;K·赵;傅博诣 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 封装 制造 工艺 平坦 | ||
一种电子器件封装制造的方法,包括:将平坦化液体分配至从基板突出的相邻特征之间的区域中。该平坦化液体随后经处理以在相邻特征之间的区域中提供硬化、基本上固体的材料。一些示例中,平坦化液体能够是用在形成多阶层重分布层中的介电材料或是用于封装半导体芯片的封装树脂材料。示例的平坦化设备包括基板支撑件、液体分配系统、硬化系统、及平坦元件系统,该液体分配系统配置成将平坦化液体分配至基板上,该硬化系统用于硬化该平坦化液体,该平坦元件系统用于压入该平坦化液体中。
背景
技术领域
本公开总体上涉及半导体器件封装制造方法以及用于半导体器件封装制造的设备。
背景技术
半导体器件的封装包括各种步骤,其中可光致图案化(photopatternable)的材料经沉积为地形不平坦的表面上的层。例如,在制造的某些阶段中,可光致图案化的介电材料(诸如,聚酰亚胺材料)用于形成重分布层(RDL),以用于制作从芯片表面接触件到球栅阵列(BGA)焊垫的布线连接件。大致上,由于在曝光工艺中可达成的焦深(DOF)有所限制,所以光刻图案化工艺对地形效应(诸如,图案化层高度或厚度的差异)敏感。由于无法充分平坦化存在于一些器件中的地形特征,所以仅涉及旋转涂覆材料的平坦化工艺被认为不适合用于未来器件的预期图案化及封装要求。
发明内容
一实施例中,一种电子器件封装制造的方法包括:将平坦化液体分配至从基板突出的多个相邻特征之间的区域中;以及处理该平坦化液体而硬化该平坦化液体,以在相邻特征之间的该区域中形成基本上固体的材料。
另一实施例中,一种电子器件封装制造的方法包括:将干图案化膜定位至从基板突出的多个相邻特征之间的区域中,将平坦元件压至该基板上的该干图案化膜上且加热该干图案化膜,以形成可流动材料且使可流动材料平坦化;以及处理该可流动材料,以硬化该可流动材料,以在相邻特征之间的该区域中形成基本上固体的材料。
还有一实施例中,一种平坦化设备包括:基板支撑件,基板能够放置在该基板支撑件上;液体分配系统,配置成将该平坦化液体分配至从基板突出的相邻特征之间的区域中;以及硬化系统,用于硬化该平坦化液体,以在相邻特征之间的该区域中形成基本上固体的材料。
附图说明
图1示意性地描绘电子器件封装制造工艺中存在的平坦化问题。
图2描绘根据第一示例的平坦化的沟槽填充方法。
图3描绘根据第二示例的用于在图案化表面上方构建平坦重分布介电层的多层方法。
图4描绘根据第三示例的平坦化的沟槽填充方法。
图5描绘了根据第四示例的平坦化方法。
图6示意性地示出在高深宽比铜柱的图案化表面上方的重分布介电层制造工艺中的平坦化工艺。
图7示意性地示出包括通孔上通孔堆叠(via-on-via stacking)的重分布层制造工艺。
图8描绘根据第五示例的平坦化的沟槽填充方法。
图9描绘根据一实施例的平坦化设备。
图10描绘了根据另一实施例的平坦化设备。
具体实施方式
应理解,前面的一般性描述和以下的详细描述都仅是示例性的,并且旨在提供用于理解权利要求书的本质和特性的概述或框架。所附附图被包括以提供进一步的理解,并且该等附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分。该等附图示出示例实施例,并且连同说明书一起用于解释各种实施例的原理和操作。
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