[发明专利]复合烧结体、静电卡盘部件、静电卡盘装置及复合烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种复合烧结体，其为含有作为主相的金属氧化物和作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，

所述碳化硅的晶粒分散在所述金属氧化物的晶粒内及所述金属氧化物的晶界上，

分散在所述金属氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶体粒径即D50为0.30μm以下，

分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的晶粒的比例相对于全部所述碳化硅的晶粒以面积比计为40％以上。

2.根据权利要求1所述的复合烧结体，其中，

分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的平均晶体粒径即D50为0.20μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述金属氧化物为氧化铝或氧化钇。

4.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述金属氧化物的平均晶体粒径为1.2μm以上且10μm以下。

5.一种静电卡盘部件，其具有：

板状的基体，以权利要求1至4中任一项所述的复合烧结体为形成材料，且一个主表面为载置板状试样的载置面；及

静电吸附用电极，设置在所述基体的与所述载置面相反的一侧或所述基体的内部。

6.一种静电卡盘装置，其具备权利要求5所述的静电卡盘部件。

7.一种复合烧结体的制造方法，其包括：

混合金属氧化物粒子、碳化硅粒子及分散介质的工序；

针对在所述进行混合的工序中得到的浆料，将所述浆料的pH调整在所述浆料中的所述金属氧化物粒子的表面电荷成为正值且所述浆料中的所述碳化硅粒子的表面电荷成为负值的范围内的工序；

在从调整pH之后的所述浆料中去除分散介质之后形成成型体的工序；及

在非氧化性气氛下、以25MPa以上的压力压实得到的成型体的同时加热至1600℃以上来进行加压烧结的工序，

所述进行混合的工序为将金属氧化物粒子、碳化硅粒子及分散介质与分散媒介物一并投入到分散搅拌碾磨机中进行混合的工序，

在形成成型体的工序中，包括在大气中、对去除夹杂物之后的成型体进行加热而对构成成型体的混合粒子进行氧化处理的氧化工序。

8.根据权利要求7所述的复合烧结体的制造方法，其在所述进行混合的工序前还包括对所述碳化硅粒子的表面进行氧化处理的工序。

9.根据权利要求7或8所述的复合烧结体的制造方法，其中，

所述调整pH的工序中，将所述浆料的pH设为5以上且7以下。

10.根据权利要求7或8所述的复合烧结体的制造方法，其中，

所述金属氧化物粒子的金属氧化物的含量为99.99％以上。