[发明专利]复合烧结体、静电卡盘部件、静电卡盘装置及复合烧结体的制造方法

说明书

本发明的复合烧结体为含有作为主相的金属氧化物和作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，所述碳化硅的晶粒分散在所述金属氧化物的晶粒内及所述金属氧化物的晶界上，分散在所述金属氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶体粒径为0.30μm以下。

技术领域

本发明涉及一种复合烧结体、静电卡盘部件、静电卡盘装置及复合烧结体的制造方法。

本申请主张基于2018年3月22日于日本申请的日本专利申请2018-055209号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

在实施等离子体工序的半导体制造装置中，使用能够将板状试样(晶片)简单地安装并固定在试样台上，并且能够将该晶片维持在所期望的温度的静电卡盘装置。静电卡盘装置具备一个主表面为载置晶片的载置面的基体及在与载置于载置面上的晶片之间产生静电力(库仑力)的静电吸附用电极(例如，参考专利文献1)。基体通常以陶瓷烧结体为形成材料。

在这种静电卡盘装置中，利用在晶片与静电吸附用电极之间产生的静电力来固定晶片。具体而言，在静电卡盘装置中，在固定晶片时，对静电吸附用电极施加电压，从而在晶片与静电吸附用电极之间产生静电力。另一方面，在静电卡盘装置中，在拆除固定在载置面上的晶片时，停止对静电吸附用电极施加电压，从而使晶片与静电吸附用电极之间的静电力消失。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4744855号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

在半导体制造装置中，会产生构成部件的气蚀或损伤(等离子体腐蚀)。其结果，存在器件的品质因所产生的微粒(颗粒)而降低的技术课题。例如，若在半导体制造工艺中微细的微粒掉落在电路上，则会发生线路断裂等不良情况，成为使成品率降低的原因。

在用于半导体制造装置中的静电卡盘装置中使用的部件也被要求抑制微粒的产生。

本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于，提供一种抑制微粒的产生的静电卡盘用复合烧结体。并且，其目的还在于，提供一种使用这种复合烧结体的静电卡盘部件、静电卡盘装置。而且，其目的还在于，提供一种能够容易制造这种复合烧结体的复合烧结体的制造方法。

用于解决技术课题的手段

本发明包括以下[1]至[11]。

[1]一种复合烧结体，其为含有作为主相的金属氧化物和作为副相的碳化硅的陶瓷复合烧结体，所述碳化硅的晶粒分散在所述金属氧化物的晶粒内及所述金属氧化物的晶界上，分散在所述金属氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶体粒径(D50)为0.30μm以下。

[2]根据[1]所述的复合烧结体，其中，分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的平均晶体粒径(D50)为0.20μm以下。

[3]根据[1]或[2]所述的复合烧结体，其中，分散在所述金属氧化物的晶粒内的所述碳化硅的晶粒的比例相对于全部所述碳化硅的晶粒以面积比计为40％以上。

[4]根据[1]至[3]中任一项所述的复合烧结体，其中，所述金属氧化物为氧化铝或氧化钇。

[5]根据[1]至[4]中任一项所述的复合烧结体，其中，所述金属氧化物的平均晶体粒径为1.2μm以上且10μm以下。

[6]一种静电卡盘部件，其具有：板状的基体，以[1]至[5]中任一项所述的复合烧结体为形成材料，且一个主表面为载置板状试样的载置面；及静电吸附用电极，设置在所述基体的与所述载置面相反的一侧或所述基体的内部。

[7]一种静电卡盘装置，其具备[6]所述的静电卡盘部件。