[发明专利]相位差膜及相位差膜的制造方法

权利要求书

1.一种相位差膜，其由包含共聚物P的树脂C形成，所述共聚物P包含聚合单元A和聚合单元B，

所述相位差膜包含显现结构性双折射的柱状的相分离结构，

所述相分离结构包含以所述聚合单元A作为主要成分的相A和以所述聚合单元B作为主要成分的相B，

所述聚合单元A为芳香族乙烯基系单元，

所述聚合单元B为加氢链状共轭二烯系单元，

所述相位差膜满足下述条件(1)或(2)，

条件(1)：D(A)＞D(B)且f(B)＞0.5、且面内方向上提供最大折射率的方向与所述相分离结构中的柱的取向方向平行；

条件(2)：D(A)＞D(B)且0.80≥f(A)＞0.5、且面内方向上提供最大折射率的方向与所述相分离结构中的柱的取向方向正交；

在此，f(A)表示所述共聚物P中的所述聚合单元A的总重量比率，

f(B)表示所述共聚物P中的所述聚合单元B的总重量比率，

D(A)＝ReA(450)/ReA(550)，

D(B)＝ReB(450)/ReB(550)，

ReA(450)表示由聚合物A形成的膜A在波长450nm处测定的面内方向的延迟，所述聚合物A是由所述聚合单元A形成的，

ReA(550)表示所述膜A在波长550nm处测定的面内方向的延迟，

ReB(450)表示由聚合物B形成的膜B在波长450nm处测定的面内方向的延迟，所述聚合物B是由所述聚合单元B形成的，

ReB(550)表示所述膜B在波长550nm处测定的面内方向的延迟，

所述延迟的单位为nm。

2.根据权利要求1所述的相位差膜，其中，在波长550nm处测定的面内方向的延迟Re(550)为100nm以上且300nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，在波长450nm处测定的面内方向的延迟Re(450)相对于在波长550nm处测定的面内方向的延迟Re(550)的比率，即Re(450)/Re(550)为0以上且小于1。

4.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述相分离结构中的所述柱的直径为50nm以下。

5.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述聚合物A的折射率n(a)与所述聚合物B的折射率n(b)的差的绝对值，即|n(a)-n(b)|为0.05以上。

6.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述相分离结构中的相间距离为200nm以下。

7.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述共聚物P为具有以所述聚合单元A作为主要成分的嵌段A和以所述聚合单元B作为主要成分的嵌段B的嵌段聚合物。

8.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述共聚物P包含三嵌段共聚物P’，所述三嵌段共聚物P’为具有以所述聚合单元A作为主要成分的嵌段A和以所述聚合单元B作为主要成分的嵌段B的A-B-A三嵌段共聚物。

9.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述共聚物P包含五嵌段共聚物P”，所述五嵌段共聚物P”为具有以所述聚合单元A作为主要成分的嵌段A和以所述聚合单元B作为主要成分的嵌段B的A-B-A-B-A五嵌段聚合物。

10.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，所述共聚物P的固有双折射值为负。

11.根据权利要求1或2所述的相位差膜，其中，0.9＞f(B)＞0.5。