[发明专利]加热处理装置和加热处理方法在审
申请号: | 201980019855.X | 申请日: | 2019-03-11 |
公开(公告)号: | CN111954923A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 大塚幸信;相良慎一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 处理 装置 方法 | ||
1.一种加热处理装置,对形成于基板的涂布膜进行加热处理,所述加热处理装置具有:
载置部,其载置基板;
加热部,其用于将载置于所述载置部的基板进行加热;
环状体,其以包围所述载置部的外周的方式设置;
盖体,其覆盖所述载置部,并且通过所述盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间;
中央排气部,其配置于所述盖体的中央部,用于对所述加热处理空间内进行排气;以及
控制部,其对载置于所述载置部的基板的加热处理进行控制,
其中,所述控制部进行控制以进行以下工序:
第一加热处理工序,在形成所述加热处理空间并且在所述加热处理空间内存在所述基板的状态下,不对所述加热处理空间内进行排气,进行所述基板的加热;以及第二加热处理工序,使所述中央排气部工作来对所述加热处理空间内进行排气,并且进行所述基板的加热。
2.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
形成所述加热处理空间的盖体在所述环状体与盖体的抵接或接近部分的外侧具有外周排气部。
3.根据权利要求2所述的加热处理装置,其特征在于,
所述外周排气部在所述盖体的下表面侧具有遍及整周地开口的环状的形状。
4.根据权利要求2所述的加热处理装置,其特征在于,
所述外周排气部在所述第二加热处理工序中工作。
5.根据权利要求4所述的加热处理装置,其特征在于,
所述环状体在上下方向上移动自如,在所述外周排气部工作时,所述环状体下降,在所述环状体、所述盖体的下表面与所述环状体的上表面之间形成比所述接近时的间隙大的间隙。
6.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
还具有外侧排气部,所述外侧排气部设置于所述环状体的外周外侧,用于对泄漏到所述加热处理空间之外的氛围气体进行排气。
7.根据权利要求6所述的加热处理装置,其特征在于,
不论载置于所述载置部的基板的温度如何,所述外侧排气部至少在将所述基板进行加热的期间工作。
8.一种加热处理方法,用于对形成于基板的涂布膜进行加热处理,在所述加热处理方法中,
形成以将基板载置于具有加热功能的载置部的状态收容该载置部和基板的加热处理空间,
所述加热处理方法包括:
第一加热处理工序,在形成所述加热处理空间并且在所述加热处理空间内存在所述基板的状态下,不对所述加热处理空间内进行排气,进行所述基板的加热;以及
第二加热处理工序,至少从所述加热处理空间的中央部的上方对所述加热处理空间内进行排气,并且进行所述基板的加热。
9.根据权利要求8所述的加热处理方法,其特征在于,
在所述第二加热处理工序中,还从所述加热处理空间内的周缘部对所述加热处理空间内进行排气来使排气量增加。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造