[发明专利]加热处理装置和加热处理方法

说明书

对形成于基板的涂布膜进行加热处理的加热处理装置具有：载置部，其载置基板；加热部，其用于将载置的基板进行加热；环状体，其以包围该载置部的外周的方式设置；盖体，其覆盖该载置部，并且通过盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；中央排气部，其配置于该盖体的中央部，用于对该加热处理空间内进行排气；以及控制部，其对载置于该载置部的基板的加热处理进行控制，其中，该控制部进行控制以进行以下工序：第一加热处理工序，在形成该加热处理空间并且在该加热处理空间内存在基板的状态下，不对该加热处理空间内进行排气，进行该基板的加热；以及第二加热处理工序，使该中央排气部工作来对该加热处理空间内进行排气，并且进行该基板的加热。

技术领域

(相关申请的交叉引用)

本申请主张2018年3月23日向日本申请的特愿2018-56754号的优先权，并且将其内容引用至此。

本发明涉及一种加热处理装置和加热处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，例如对于形成有抗蚀膜等涂布膜的基板、例如半导体晶圆(在以下的说明中有时简称为晶圆)，为了使所述涂布膜干燥而对该半导体晶圆进行加热处理。

以往以来，使用加热处理装置来进行这样的加热处理，但在进行加热时对膜厚的均匀性产生影响，因此需要留意加热处理容器内的气流控制、排气控制。例如，在仅从设置于晶圆的中央部上方的排气口进行了加热处理容器内的排气处理的情况下，由于在处理容器内形成的排气流的影响，使得被涂布于晶圆上的涂布膜的膜厚变得中心部比外周部厚。

因此，在专利文献1所记载的加热处理装置中，除了具有在与载置于载置部的晶圆的中心一致的上方位置设置的中央排气口以外，在比晶圆的外缘更靠外侧的上方位置还具有沿周向等间隔地形成的外周排气口。

在专利文献1中，在将晶圆进行加热来进行交联反应时，从中央排气口以少的排气流量进行排气，从外周排气口以大的流量进行排气。由此，能够控制加热处理容器内的、尤其是晶圆的中心部的排气流，抑制晶圆的中心处的膜的隆起，关于形成于晶圆上的涂布膜的膜厚确保良好的面内均匀性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-115919号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的专利文献1所记载的加热处理装置中，虽然整体上能够使膜厚的面内均匀性提高，但通过在加热处理中从中心排气口和外周排气口这两方对处理容器氛围气体进行排气，在处理容器内产生朝向两方的排气口的排气流。其结果，有时涂布膜的中心部和周缘部的膜厚比其它部分的膜厚厚。即，晶圆上的膜厚的面内均匀性存在进一步的改善的余地。

本发明的一个方式是鉴于该点而完成的，在对基板进行加热处理时使基板上的涂布膜的膜厚的面内均匀性进一步提高。

用于解决问题的方案