[发明专利]粘着胶带及半导体装置的制造方法

说明书

作为技术问题，本发明的目的在于，特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时，减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外，本发明的目的在于，改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段，本发明提供一种粘着胶带10，所述粘着胶带10的特征在于，其优选被用作为上述背磨胶带，其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12，所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成，照射能量射线而固化后的粘着剂的200℃下的储能模量E’₂₀₀为1.5MPa以上。

技术领域

本发明涉及一种粘着胶带，更详细而言，涉及一种使用所谓的预切割(predicing)法而制造半导体装置时，优选用于暂时固定半导体晶圆及芯片的粘着胶带、及使用该粘着胶带的半导体装置的制造方法。

背景技术

随着各种电子设备的小型化、多功能化的进展，对搭载于各种电子设备的半导体芯片也同样要求小型化、薄型化。为了芯片的薄型化，通常对半导体晶圆的背面进行磨削而调节厚度。此外，有时也会利用被称为预切割法的技术，其中，从晶圆的表面侧形成规定深度的沟槽后，从晶圆背面侧进行磨削，通过磨削将沟槽的底部去除而将晶圆单颗化(singulation)，进而得到芯片。在预切割法中，由于能够同时进行晶圆的背面磨削与晶圆的单颗化，因此能够效率良好地制造薄型芯片。

以往，对半导体晶圆进行背面磨削时或使用预切割法而制造芯片时，通常将被称为背磨胶带的粘着胶带贴附在晶圆表面，用以保护晶圆表面的电路且将半导体晶圆及半导体芯片预先固定。

以下，参照附图，对使用预切割法将晶圆单颗化后的芯片的拾取进行说明。通过预切割，半导体晶圆被单颗化，在背磨胶带10上得到由经单颗化的许多芯片21组成的芯片组20(图1)。该芯片组20被转印至被称为拾取胶带30的粘着胶带，根据需要进行扩张芯片间隔的扩展后，从拾取胶带30上剥离(专利文献1：日本特开2012-209385号公报)。作为该拾取胶带30，多使用被称为切割胶带的粘着胶带类。以下述方式进行芯片组20从背磨胶带10至拾取胶带30的转印。即，将拾取胶带30贴附于被保持在背磨胶带10上的芯片组20。此时，使用环形框架40固定拾取胶带30的外周部(图2)。接着，通过仅将背磨胶带10剥离，芯片组20被转印至拾取胶带30。

对于背磨胶带10而言，在背面磨削工序中，需要能够稳定地保持晶圆和芯片组的程度的粘着力，将芯片组转印至拾取胶带30时，需要能够容易地从芯片表面剥离的程度的粘着力。因此，在背磨胶带10的粘着剂层12中多使用能够通过能量射线照射而降低粘着力的能量射线固化性粘着剂。例如专利文献2(日本特开2002-053819号公报)中公开了一种背磨胶带，其能量射线固化前的粘着力为150g/25mm以上，能量射线固化后的粘着力为150g/25mm以下。在此，粘着力是依据JIS Z-0237所规定的方法，使用SUS304-BA板作为被粘物，且在剥离速度为300mm/分钟、剥离角度为180度的条件下测得的粘着力。

此外，专利文献3(日本特开2016-72546号公报)中公开了一种用于预切割法的半导体晶圆表面保护用粘着胶带。该粘着胶带的目的在于，抑制预切割时的切口偏移(kerfshift)、消除粘着剂向半导体芯片的转移粘着及半导体芯片的剥离不良，粘着胶带的基材至少具有1层拉伸模量为1～10GPa的刚性层，使粘着剂层辐射固化后的剥离角度为30°时的剥离力为0.1～3.0N/25mm。

剥离背磨胶带10时，将成为剥离的开端的剥离用胶带50固定在背磨胶带10的背面(基材面)(图3)。背磨胶带的形状与半导体晶圆大致相同，由于背磨胶带没有成为剥离的开端的起点，因此将长条状的剥离用胶带50固定以作为剥离的起点。剥离用胶带50通过热压接而被牢固地固定在背磨胶带10的背面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-209385号公报

专利文献2：日本特开2002-053819号公报