[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法、及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种研磨用组合物，其是用于对包含(a)具有硅-氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，

所述研磨用组合物包含：

有机酸固定二氧化硅、

分散介质、

使所述(a)材料的研磨速度相对于所述(b)材料的研磨速度的比提高的选择比提高剂、和

酸，

所述研磨用组合物不包含氧化剂，所述研磨用组合物的pH为4以下，

所述选择比提高剂为具有亲水性基团的有机聚硅氧烷，所述亲水性基团为聚氧亚烷基，所述选择比提高剂的分子量为200以上且100000以下，所述选择比提高剂的含量为0.0001质量％以上且0.05质量％以下。

2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述有机酸固定二氧化硅的含量为0.01质量％以上且5质量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物，其中，所述有机酸固定二氧化硅为磺酸固定二氧化硅。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨用组合物的制造方法，其中，包括对所述有机酸固定二氧化硅、所述分散介质、所述选择比提高剂、及所述酸进行混合的工序。

5.一种研磨方法，其包括使用权利要求1～3中任一项所述的研磨用组合物，对包含(a)具有硅-氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨的工序。

6.根据权利要求5所述的研磨方法，其是使(a)具有硅-氮键的材料的研磨速度相对于(b)氧化硅的研磨速度的选择比提高的方法，

其包括使用权利要求1～3中任一项所述的研磨用组合物研磨所述(a)具有硅-氮键的材料与所述(b)氧化硅的工序。

7.一种半导体基板的制造方法，其具有利用权利要求5所述的研磨方法对包含(a)具有硅-氮键的材料和(b)其他材料的半导体基板进行研磨的工序。