[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法、及半导体基板的制造方法

说明书

本发明提供对包含(a)具有硅‑氮键的材料、和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨时，可以使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的手段。本发明为用于对包含(a)具有硅‑氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，所述研磨用组合物包含：有机酸固定二氧化硅、分散介质、使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的选择比提高剂和、酸，前述选择比提高剂为具有亲水性基团的有机聚硅氧烷。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法、及半导体基板的制造方法。

背景技术

近年来，随着LSI(Large Scale Integration)的高集成化、高性能化，开发了新型的微细加工技术。化学机械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)法是其中之一，其是在LSI制造工序、特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化、金属插塞形成、嵌入布线(镶嵌布线)形成中被频繁利用的技术。

该CMP被应用于半导体制造的各工序中，作为其一个方式，例如可举出对晶体管制作中的栅极形成工序的应用。晶体管制作时，对金属、硅、氧化硅、多结晶硅(多晶硅)、硅氮化物(氮化硅)等材料进行研磨，根据晶体管的结构，要求对各材料的研磨速度(研磨速率)进行控制。

作为控制研磨速度的技术，例如，日本特开2008-130988号公报(相当于美国专利申请公开第2008/0125017号说明书)中公开了一种研磨用组合物，其含有：磨粒，其选自二氧化硅及氧化铈；碱，其选自氨、铵盐、碱金属盐及碱金属氢氧化物；以及有机改性硅油，其选自聚氧乙烯改性硅油、聚(氧乙烯氧丙烯)改性硅油、环氧/聚醚改性硅油及氨基/聚醚改性硅油。通过这样的研磨用组合物，可以进行硅氧化膜相对于多晶硅膜的选择性的研磨。

发明内容

在需要对各材料的研磨速度进行控制的要求之中，还存在需要对氮化硅膜等包含硅-氮键的材料选择性地进行研磨的要求。

然而，日本特开2008-130988号公报(相当于美国专利申请公开第2008/0125017号说明书)中并未公开对氮化硅膜等包含硅-氮键的材料选择性地进行研磨的技术，另外，未能发挥对氮化硅膜等包含硅-氮键的材料的研磨速度的高选择性。

因此，本发明的目的在于，提供在对包含(a)具有硅-氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨时，可以使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的手段。

为了解决上述的问题，本发明人等反复进行深入研究。其结果发现，通过如下的研磨用组合物可以解决上述问题，从而完成了本发明，所述研磨用组合物是用于对包含(a)具有硅-氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，其包含：有机酸固定二氧化硅、分散介质、使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的选择比提高剂、和酸，前述选择比提高剂为具有亲水性基团的有机聚硅氧烷。

具体实施方式

本发明是用于对包含(a)具有硅-氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，其包含：有机酸固定二氧化硅、分散介质、使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的选择比提高剂、和酸，前述选择比提高剂为具有亲水性基团的有机聚硅氧烷。具有这样的构成的本发明的研磨用组合物在对包含(a)具有硅-氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨时，可以使(a)具有硅-氮键的材料的研磨速度相对于(b)其他材料的研磨速度的比提高。

以下，对本发明的实施的方式进行说明。需要说明的是，本发明并不仅限定于以下的实施方式。

本说明书中，若无特别说明，则操作及物性等的测定在室温(20℃以上25℃以下)/相对湿度40％RH以上且50％RH以下的条件下进行。

[研磨对象物]