[发明专利]陶瓷基体及基座

权利要求书

1.一种陶瓷基体，其以含有碳化硅粒子的电介质材料为形成材料，

所述基体的表面上的每单位面积的所述碳化硅粒子的个数少于所述基体的截面上的每单位面积的所述碳化硅粒子的个数，

所述陶瓷基体通过包括如下工序的方法来形成：

第一工序，对由具有氧化铝粒子或氧化钇粒子作为主相且具有碳化硅粒子作为副相的复合烧结体形成的基材进行喷砂加工来形成多个突起部；及

第二工序，包括在所述突起部的形成工序后进行的以下（a）至（c）中的至少一个子工序：

（a）在处理用腔室内，以900℃以上且1300℃以下对所述基材进行热处理的工序；

（b）对所述基材的具有突起部的表面照射激光来进行热处理的工序；及

（c）对所述基材的具有突起部的表面进行酸处理的工序。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其中，

所述碳化硅粒子的平均粒径为0.2μm以下。

3.一种基座，其具备权利要求1或2所述的陶瓷基体，

所述陶瓷基体的表面为载置板状试样的载置面。

4.一种静电卡盘装置，其包括：

静电卡盘部，包括作为载置板的权利要求1的陶瓷基体、支撑板、设置在陶瓷基体与支撑板之间的静电吸附用电极及使静电吸附用电极的周围绝缘的绝缘材料层；

温度调节用基底部；及

粘接剂层，设置在静电卡盘部与温度调节用基底部之间。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其中，

所述电介质材料具有平均晶体粒径为5μm以下的氧化铝粒子或氧化钇粒子作为主相，且具有平均粒径为0.2μm以下的碳化硅粒子作为副相。

6.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其在所述第一工序前还包括在所述基材上添加支撑基材的底部侧的支撑板、设置在基材与支撑板之间的静电吸附用电极及使静电吸附用电极的周围绝缘的绝缘材料层的工序。