[发明专利]陶瓷基体及基座

说明书

本发明的陶瓷基体以含有碳化硅粒子的电介质材料为形成材料，基体的表面上的每单位面积的碳化硅粒子的个数少于基体的截面上的每单位面积的碳化硅粒子的个数。

技术领域

本发明涉及一种陶瓷基体及基座。

本申请主张基于2018年3月30日于日本申请的日本专利申请2018-066504号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，在实施等离子体工序的半导体制造装置中，使用能够在试样台上简单地安装并固定板状试样(晶片)，并且能够以所期望的温度维持该晶片的基座。作为基座之一的静电卡盘装置具备一个主表面为载置晶片的载置面的基体及在与载置于载置面的晶片之间产生静电力(库仑力)的静电吸附用电极。通常，基体以电介质材料为形成材料。

作为这种静电卡盘装置，已知一种对电介质材料制载置面进行加工来设置多个突起形状，并在突起形状的顶面上保持板状试样的结构的装置(例如，参考专利文献1)。在这种装置中，通过使冷却用气体在突起部之间的空间内流动，能够冷却板状试样来进行板状试样的温度控制。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-27207号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

在如专利文献1中记载的静电卡盘装置中，突起形状的顶面与板状试样接触，突起形状受到板状试样的摩擦，由此电介质材料的碎片有时会从突起形状掉落。有时将这种碎片称为“微粒”。

若微粒附着于板状试样，则会成为等离子体工序中的蚀刻偏差或后续工序的污染的原因。因此，要求微粒的产生得到抑制的陶瓷基体及基座。

本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于，提供一种微粒的产生得到抑制的陶瓷基体及基座。

用于解决技术课题的手段

为了解决上述技术课题，本发明的一种方式提供一种陶瓷基体，其以含有碳化硅粒子的电介质材料为形成材料，基体的表面上的每单位面积的碳化硅粒子的个数少于基体的截面上的每单位面积的碳化硅粒子的个数。

碳化硅粒子的平均粒径可以构成为0.2μm以下。

本发明的第二方式提供一种基座，其具备上述陶瓷基体，陶瓷基体的表面为载置板状试样的载置面。

本发明的第三方式提供一种静电卡盘装置，其包括：静电卡盘部，包括作为载置板的上述陶瓷基体、支撑板、设置在陶瓷基体与支撑板之间的静电吸附用电极及使静电吸附用电极的周围绝缘的绝缘材料层；温度调节用基底部；及粘接剂层，设置在静电卡盘部与温度调节用基底部之间。

上述方式所述的陶瓷基体可以通过包括如下工序的方法来形成：第一工序，对由具有氧化铝粒子或氧化钇粒子作为主相且具有碳化硅粒子作为副相的复合烧结体形成的基材进行喷砂加工来形成多个突起部；及第二工序，包括在所述突起部的形成工序之后进行的以下(a)至(c)中的至少一个子工序。

(a)在处理用腔室内，以900℃以上且1300℃以下对所述基材进行热处理的工序；(b)对所述基材的具有突起部的表面照射激光来进行热处理的工序；及(c)对所述基材的具有突起部的表面进行酸处理的工序。

发明效果

根据本发明，能够提供一种微粒的产生得到抑制的陶瓷基体及基座。

附图说明

图1是表示适用了陶瓷基体(载置板)的静电卡盘装置的概略剖视图。

图2A是表示第1实施方式的静电卡盘装置的制造方法的概略工序图。

图2B是表示第1实施方式的静电卡盘装置的制造方法的概略工序图。