[发明专利]用于将贵金属连接到氧化物的光学透明粘合层在审

专利信息
申请号: 201980022360.2 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN111971806A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: Y·C·关 申请(专利权)人: 亮锐有限责任公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 江鹏飞;陈岚
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 贵金属 接到 氧化物 光学 透明 粘合
【权利要求书】:

1.一种导电反射层,包括:

底层上的电介质层,所述电介质层具有第一反应焓;

所述电介质层上的中间层;和

所述中间层上的金属层,所述金属层和所述中间层电耦合到所述底层。

2.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述底层是导电的。

3.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述中间层具有大于所述第一反应焓的第二反应焓。

4.根据权利要求1所述的反射层,其中所述电介质层具有范围从5埃到50埃的厚度。

5.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述金属层具有范围从50nm到1000nm的厚度。

6.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述电介质层包括氧化硅。

7.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述中间层包括铝。

8.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述金属层包括贵金属。

9.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述中间层的大部分原子与所述电介质层的原子形成键。

10.根据权利要求1所述的导电反射层,其中所述电介质层在发射层上。

11.一种形成导电反射层的方法,所述方法包括:

在底层上形成电介质层,所述电介质层具有第一反应焓;

在所述电介质层上形成中间层;和

在所述中间层上形成金属层,所述金属层和所述中间层电耦合到所述底层。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述底层是导电的。

13.根据权利要求11所述的方法,其中所述中间层具有大于所述第一反应焓的第二反应焓。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述电介质层具有范围从5埃到1000埃的厚度。

15.根据权利要求11所述的方法,其中所述电介质层包括氧化硅。

16.根据权利要求11所述的方法,其中所述中间层包括铝。

17.根据权利要求11所述的方法,其中所述金属层包括贵金属。

18.根据权利要求11所述的方法,其中所述中间层的大部分原子与所述电介质层的原子形成键。

19.根据权利要求11所述的方法,其中所述电介质层被设置在发射层上。

20.一种发光二极管(LED)器件,包括:

发光层;和

导电反射层,包括:

底层上的电介质层,所述电介质层具有第一反应焓;

所述电介质层上的中间层;和

所述中间层上的金属层,所述金属层和所述中间层电耦合到所述底层。

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