[发明专利]用于将贵金属连接到氧化物的光学透明粘合层

说明书

提供了一种在照明器件中使用的反射层和形成该反射层的方法。该反射层可以包括包含一种或多种绝缘材料的电介质层。中间层可以形成在电介质层上。中间层可以包括比一种或多种绝缘材料具有更高反应焓的一种或多种材料。由于更高的反应焓，中间层中的一种或多种材料的原子可以与一种或多种绝缘材料的原子形成键。金属层可以形成在中间层上以反射从发光二极管（LED）的有源区发射的光。

背景技术

包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）以及边缘发射激光器的半导体发光器件属于当前可用的最高效的光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟以及氮的二元、三元以及四元合金，也被称为III族氮化物材料。

典型地，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术，通过在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其他合适的衬底上外延生长具有不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制备III族氮化物发光器件。该叠层通常包括形成在衬底上方的一个或多个掺杂有例如硅的n型层、形成在该一个或多个n型层上方的有源区中的一个或多个发光层、以及形成在该有源区上方的一个或多个掺杂有例如镁的p型层。电气接触部在n型区和p型区上形成。

发明内容

提供了一种在照明器件中使用的反射层和形成该反射层的方法。该反射层可以包括包含一种或多种绝缘材料的电介质层。对电介质层和后续的金属层具有鲁棒的粘合特性的中间层可以形成在电介质层上。该中间层可以包括一种或多种材料，该一种或多种材料具有比一种或多种绝缘材料更高的反应焓。由于更高的反应焓，中间层中的一种或多种材料的原子可以与一种或多种绝缘材料的原子形成键。金属层可以形成在中间层上以反射从发光二极管（LED）的有源区发射的光。

附图说明

可以从以下结合附图以示例的方式给出的描述中得到更详细的理解，在附图中：

图1是图示了示例III族氮化物发光二极管（LED）器件的截面图；

图2是图示了在发射层上形成电介质层的截面图；

图3是图示了在电介质层上形成中间层的截面图；

图4是图示了在中间层上形成金属层以形成反射层的截面图；

图5A-5B是图示了示例性反射层的截面的透射电子显微镜（TEM）显微照片；

图6是图示了形成反射层的方法的流程图；

图7是图示了形成反射层的另一种方法的流程图；

图8是图示了形成反射层的另一种方法的流程图；和

图9是图示了形成反射层的另一种方法的流程图。

具体实施方式

下文将参考附图更充分地描述不同发光二极管（“LED”）实施方式的示例。这些示例不相互排斥，并且在一个示例中发现的特征可以与在一个或多个其他示例中发现的特征相组合，以实现附加的实施方式。因此，将理解，附图中所示出的示例仅是出于说明的目的而提供的，并且它们不意图以任何方式限制本公开。贯穿全文，相同的数字指代相同的元件。

将理解，尽管术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。