[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201980023618.0 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN111937126A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 奥山一树;高桥俊太郎;芳我基治;吉田真悟;熊谷和寿;奥田肇 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 陈彦;张默 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具有半导体元件和第一连接构件,
所述半导体元件具有包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在所述晶体管形成区域上的电极焊盘,
所述第一连接构件在1个部位与所述电极焊盘连接;
所述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖所述晶体管形成区域的重心,
在所述平面观察时,所述第一连接构件与所述电极焊盘连接的连接区域包含所述晶体管形成区域的重心位置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述连接区域的中心位置与所述晶体管形成区域的重心位置一致。
3.一种半导体装置,具有半导体元件和第一连接构件,
所述半导体元件具有包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在所述晶体管形成区域上的电极焊盘,
所述第一连接构件在多个部位与所述电极焊盘连接;
所述晶体管形成区域被分割为与所述第一连接构件的连接部位的数量相对应的相互面积相等的多个分割区域,
所述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖所述多个分割区域各自的重心,
在所述平面观察时,所述第一连接构件与所述电极焊盘连接的连接区域包含所述多个分割区域各自的重心位置。
4.一种半导体装置,具有半导体元件和多个第一连接构件,
所述半导体元件具有包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在所述晶体管形成区域上的电极焊盘,
所述多个第一连接构件与所述电极焊盘连接,
所述晶体管形成区域被分割为与所述第一连接构件的数量相对应的相互面积相等的多个分割区域,
所述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖所述多个分割区域各自的重心,
在所述平面观察时,所述多个第一连接构件与所述电极焊盘分别连接的连接区域包含所述多个分割区域各自的重心位置。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其中,
所述多个分割区域以接近正方形的方式被均等分割。
6.根据权利要求3~5中任一项所述的半导体装置,其中,
所述连接区域的中心位置与所述分割区域各自的重心位置一致。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体装置,其中,
所述半导体元件具有电力用晶体管、与所述电力用晶体管的控制端子连接的控制电极焊盘,
并且,所述半导体装置具有:
安装有所述半导体元件的第一引线框,
与一端连接于所述控制电极焊盘的第二连接构件的另一端连接的第二引线框,和
与一端连接于所述半导体元件的所述第一连接构件的另一端连接的第三引线框。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,
所述第一引线框和所述第三引线框构成为含有铜,
所述第一连接构件构成为含有铝,
所述第一引线框和所述第三引线框的至少一方的表面具有镀覆层。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,
所述第一引线框具有安装有所述半导体元件的第一岛部,
在所述第一岛部中的安装有所述半导体元件的表面具有镀覆层。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置,其中,
所述第三引线框具有与所述第一连接构件连接的第三岛部,
在所述第三岛部中的与所述第一连接构件连接的表面具有镀覆层。
11.根据权利要求7~10中任一项所述的半导体装置,其中,
构成为含有铜的所述第二引线框具有与所述第二连接构件连接的第二岛部,
所述第二连接构件构成为含有铝,
在所述第二岛部中的与所述第二连接构件连接的表面具有镀覆层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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