[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置，包括半导体元件和第一连接构件。半导体元件具有基板和电极焊盘。基板包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域。上述电极焊盘位于上述晶体管形成区域上。第一连接构件在1个部位与电极焊盘连接。电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖晶体管形成区域的重心。在平面观察时，第一连接构件与电极焊盘连接的连接区域包含晶体管形成区域的重心位置。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

作为半导体装置的一例，已知在安装于引线框一侧的面上形成有漏极电极、在与形成有漏极电极的面相反侧的面上形成有源极电极焊盘和栅极电极焊盘的纵型MOSFET(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-23211号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，半导体装置有时要与感性负载连接，要求具有在关闭时吸收从感性负载释放的能量的功能。如果从感性负载对半导体装置释放的能量超过特定值，半导体装置就有因温度上升而导致故障的危险。能够吸收多少感性负载中蓄积的能量的指标由有源钳位耐量来表示。有源钳位耐量的值越大，则能够更多地吸收在感性负载中蓄积的能量。因此，优选有源钳位耐量的值更大。

本发明的目的在于提供能够提高有源钳位耐量的半导体装置。

解决课题的方法

用于解决上述课题的半导体装置包括半导体元件和第一连接构件，该半导体元件具有具备形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在上述晶体管形成区域上的电极焊盘，该第一连接构件在1个部位与上述电极焊盘连接，上述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖上述晶体管形成区域的重心，在上述平面观察时，上述第一连接构件与上述电极焊盘连接的连接区域包含上述晶体管形成区域的重心位置。

本申请的发明人为了提高半导体装置的有源钳位耐量，着眼于与半导体元件连接的第一连接构件的相对于半导体元件的晶体管形成区域的电极焊盘的连接位置。并且，本申请的发明人得到了如下的认识，即，如果在与晶体管形成区域的重心位置相对应的电极焊盘的位置与第一连接构件连接，则能够提高有源钳位耐量。鉴于这一点，本半导体装置构成为第一连接构件与电极焊盘连接的连接区域包含晶体管形成区域的重心位置。从而能够提高有源钳位耐量。

用于解决上述课题的半导体装置包括半导体元件和第一连接构件，该半导体元件具有具备形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在上述晶体管形成区域上的电极焊盘，该第一连接构件在多个部位与上述电极焊盘连接，上述晶体管形成区域被分割为与上述第一连接构件的连接部位的数量相对应的相互面积相等的多个分割区域，上述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖上述多个分割区域各自的重心，上述平面观察时，上述第一连接构件与上述与电极焊盘连接的连接区域包含上述多个分割区域各自的重心位置。

本申请的发明人为了提高半导体装置的有源钳位耐量，着眼于与半导体元件连接的第一连接构件的相对于半导体元件的晶体管形成区域的电极焊盘的连接位置。并且，本申请的发明人得到了如下的认识，即，当第一连接构件在电极焊盘的2个部位连接时，如果在与将晶体管形成区域相互面积相等地分割成的2个分割区域各自的重心位置相对应的电极焊盘的位置与第一连接构件连接，则能够提高有源钳位耐量。鉴于这一点，本半导体装置构成为第一连接构件与电极焊盘连接的连接区域包含将晶体管形成区域相互面积相等地分割成的多个分割区域各自的重心位置。从而能够提高有源钳位耐量。