[发明专利]带密封表面的静电卡盘

权利要求书

1.一种基座，其包括：

主体，其包括：

上环形密封表面，其是平坦的，垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度，

下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移第一距离，

从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移小于或等于第一距离的第二距离；和

在所述主体内的一个或多个电极，其中：

所述上环形密封表面被配置成当半导体衬底被所述基座支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，

所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶表面被配置为在所述基座支撑所述半导体衬底时支撑所述半导体衬底，以及

所述一个或多个电极被配置为与选自由以下项组成的群组中的一项或多项电连接：射频(RF)电源、电接地和直流(DC)电源。

2.根据权利要求1所述的基座，其中：

所述一个或多个电极是静电夹持电极，并且

所述一个或多个静电夹持电极被配置为当所述半导体衬底由所述基座支撑时并且当所述一个或多个静电夹持电极由所述DC电源供电时，在所述半导体衬底上提供静电夹持力。

3.根据权利要求2所述的基座，其中，当所述半导体衬底由所述基座支撑时并且当所述一个或多个静电夹持电极在所述半导体衬底上提供静电夹持力时，在所述上环形密封表面与所述半导体衬底之间形成密封。

4.根据权利要求1所述的基座，其中，所述一个或多个电极被配置为：

与所述RF电源电连接，以及

从所述RF电源接收RF功率。

5.根据权利要求1所述的基座，其中，所述上环形密封表面具有小于所述半导体衬底的所述半径的内半径和大于所述半导体衬底的所述半径的外半径。

6.根据权利要求1所述的基座，其中：

所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶表面是共面的，并且

所述第一距离等于所述第二距离。

7.根据权利要求1所述的基座，其中，所述第一距离大于所述第二距离。

8.根据权利要求1所述的基座，其中，每个MCA是具有平坦的顶表面区域的圆柱体。

9.一种半导体处理系统，其包括：

处理室；

所述处理室中的一个或多个处理站；

在所述一个或多个处理站中的每一个中的静电卡盘，每个静电卡盘具有主体，所述主体包括：

上环形密封表面，其是平坦的，垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度，

下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移第一距离，

从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移小于或等于第一距离的第二距离；和

在所述主体内的一个或多个静电夹持电极，其中：

所述上环形密封表面被配置成当半导体衬底被所述静电卡盘支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，

所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶表面被配置为在所述静电卡盘支撑所述半导体衬底时支撑所述半导体衬底，以及

所述一个或多个静电夹持电极被配置为：当所述半导体衬底由所述静电卡盘支撑时并且当所述一个或多个静电夹持电极由DC电源供电时，在所述半导体衬底上提供静电夹持力；

所述DC电源，其电连接至所述静电夹持电极；和

具有存储器和处理器的控制器，所述存储器存储指令，所述指令被配置为：

使所述DC电源向所述静电夹持电极供电以便当由所述静电卡盘支撑所述半导体衬底时在所述半导体衬底上提供静电夹持力。

10.一种半导体处理系统，其包括：

处理室；

所述处理室中的一个或多个处理站；

在所述一个或多个处理站中的每一个中的基座，每个基座具有主体，所述主体包括：

上环形密封表面，其是平坦的，垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度，

下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移第一距离，

从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移小于或等于第一距离的第二距离；和

在所述主体内的一个或多个电极，其中：

所述上环形密封表面被配置成当半导体衬底被所述基座支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，

所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶表面被配置为在所述基座支撑所述半导体衬底时支撑所述半导体衬底，以及

所述一个或多个电极被配置为与射频(RF)电源电连接；

所述基座上方的喷头，其电连接到电接地；

所述RF电源，其电连接至所述一或多个电极；和

具有存储器和处理器的控制器，所述存储器存储指令，所述指令被配置为：

使所述RF电源向所述一个或多个电极提供RF电压，以便在所述基座和所述喷头之间产生等离子体。