[发明专利]用于多层3D集成的裸片堆叠

权利要求书

1.一种制造方法，包括：

将第一半导体裸片(40)安装在第一半导体晶片(185)的第二半导体裸片(35)上；

将所述第二半导体裸片从所述第一半导体晶片切单以产生第一裸片堆叠；

将所述第一裸片堆叠的所述第二半导体裸片安装在第二半导体晶片(205)的第三半导体裸片(30)上；

将所述第三半导体裸片从所述第二半导体晶片切单以产生第二裸片堆叠；以及

将所述第二裸片堆叠安装在第三半导体晶片(225)的第四半导体裸片(25)上。

2.如权利要求1所述的方法，包括将第一虚拟组件(110)安装在与所述第二裸片堆叠的第一侧相邻的所述第三半导体晶片上；以及将第二虚拟组件(115)安装在与所述第二裸片堆叠的第二侧相邻的所述第三半导体晶片上，所述第二侧与所述第一侧相对。

3.如权利要求1所述的方法，包括将所述第四半导体裸片从所述第三半导体晶片切单以产生第三裸片堆叠。

4.如权利要求1所述的方法，包括将所述第一半导体晶片安装至第一载体晶片(200)；以及显露所述第二半导体裸片的多个裸片通孔(155)，之后再将所述第一半导体裸片安装在所述第二半导体裸片上。

5.如权利要求4所述的方法，包括将所述第二半导体晶片安装至第二载体(220)晶片；以及显露所述第三半导体裸片的多个裸片通孔(150)，之后再将所述第二半导体裸片安装在所述第三半导体裸片上。

6.如权利要求1所述的方法，包括在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间制造多个互连件(85)。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述将所述第一半导体裸片安装至所述第二半导体裸片包括在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间形成具有第一玻璃层(175)和第二玻璃层(180)的绝缘结合层，并且所述绝缘结合层结合所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片；以及退火以将所述第一玻璃层结合至所述第二玻璃层并冶金地结合所述第一半导体裸片的导体结构和所述第二半导体裸片的导体结构。

8.如权利要求1所述的方法，包括对模制材料(130)进行模制以至少部分地包围所述第二裸片堆叠。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第四半导体裸片具有面向所述第三半导体裸片的第一侧以及与所述第一侧相对的另一侧，所述方法包括在所述另一侧上制造多个I/O(140)。

10.一种制造方法，包括：

将第一半导体晶片(185)安装在第一载体晶片(200)上；

显露所述第一半导体晶片的第一半导体裸片(35)的多个裸片通孔(155)；

在所述显露所述裸片通孔之后，将第二半导体裸片(40)安装在所述第一半导体裸片上；

将所述第一半导体裸片从所述第一半导体晶片切单以产生第一裸片堆叠；

将第二半导体晶片(205)安装在第二载体晶片(220)上；

显露所述第二半导体晶片的第三半导体裸片(205)的多个裸片通孔(150)；

在所述显露所述第三半导体裸片的所述裸片通孔之后，将所述第一裸片堆叠的所述第一半导体裸片安装在所述第三半导体裸片上；

将所述第三半导体裸片从所述第二半导体晶片切单以产生第二裸片堆叠；以及

将所述第二裸片堆叠安装在第三半导体晶片(225)的第四半导体裸片(25)上。

11.如权利要求10所述的方法，包括将第一虚拟组件(110)安装在与所述第二裸片堆叠的第一侧相邻的所述第三半导体晶片上，以及将第二虚拟组件(115)安装在与所述第二裸片堆叠的第二侧相邻的所述第三半导体晶片上，所述第二侧与所述第一侧相对。

12.如权利要求10所述的方法，包括将所述第四半导体裸片从所述第三半导体晶片切单以产生第三裸片堆叠。