[发明专利]用于精确流体递送的热稳定的流量计在审
申请号: | 201980025326.0 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN112005354A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | S·斯里瓦斯塔瓦;S·阿拉姆;N·S·乔拉普尔;D·R·本杰明拉吉;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 精确 流体 递送 稳定 流量计 | ||
本公开内容涉及一种用于沉积腔室的流体递送设备。所述流体递送装置包括流体流量计。所述流体流量计被包围在隔热箱中。在所述隔热箱上设有进气口,用于在所述流体流量计之上提供强制冷却气流。在所述隔热箱上设有排气口,强制冷却气体从所述排气口离开所述隔热箱。
背景技术
技术领域
本公开内容总体涉及流量计,并且更特别地涉及用于精确流体递送的热稳定的流量计。
相关技术的描述
半导体器件制造等涉及各种工艺,这些工艺一般来说需要以精确地受控的量和/或流率将流体递送到工艺腔室,诸如蚀刻腔室或沉积腔室。一般来说,仔细地控制在这种工艺中供应的流体量,以提供所预期的处理结果,诸如特定的膜组成、膜厚度、蚀刻结果等。例如,在一些工艺中,经由利用液体原硅酸四乙酯(TEOS)溶液作为前驱物的工艺在沉积腔室中的基板上沉积二氧化硅膜。在这种工艺中,液体溶液先流经液体流量计(LFM),接着流经气化器,然后再供应到沉积腔室。在沉积腔室中,前驱物在射频(RF)等离子体等的存在下被分解,并且最终地作为二氧化硅膜沉积在基板上。在这种沉积方案中,馈送到沉积腔室中的前驱物的量和/或馈送速率的任何变化都可能会造成膜沉积速率变化,并且最终地造成最终的沉积的膜厚度、膜性质和/或膜组成变化。
因此,本领域中需要的是用于精确的流体递送的改进的液体流量计。
发明内容
在一个实施例中,一种流体递送设备包括流体流量计、包围所述流体流量计的隔热箱。在隔热箱上设有进气口和排气口。进气口在流体流量计之上提供强制冷却气流,并且强制冷却气体从排气口离开隔热箱。
在另一个实施例中,一种用于结合在精密气体面板中的模块化流体递送设备包括:第一流体流量计,所述第一流体流量计用于提供第一工艺流体;以及第二流体流量计,所述第二流体流量计用于提供第二工艺流体。冷侧板在第一侧上热耦接到第一流量计和第二流量计。热电装置在与第一侧相对的第二侧上热耦接到冷侧板。热侧板热耦接到热电装置。热电装置在冷侧板与热侧板之间。热交换系统耦接到热侧板并被配置为从模块化流体递送设备排出热量。隔热箱包围第一流体流量计和第二流体流量计。本公开内容不限于具有两个流体流量计的模块,并且模块具有不同数量的流体流量计,例如,可利用三至六个或更多个流体流量计。同样地,在其他实施例中,模块可仅包括单个流体流量计。
在又一个实施例中,一种流体递送设备包括多个流体流量计和包围所述多个流体流量计的第一箱。在第一箱上设有进气口,冷却气体通过所述进气口进入第一箱。在第一箱上设有排气口,所加热的冷却气体(“热气”)通过所述排气口离开第一箱。第一箱上的排气口可包括排气机构以从第一箱汲取冷却气体。第二箱包围第一箱并提供循环路径,来自排气口的冷却气体通过所述循环路径而返回到进气口。冷侧板热耦接到第二箱的至少一侧。热电装置热耦接到冷侧板。热侧板热耦接到热电装置。热电装置在冷侧板与热侧板之间。热交换系统热耦接到热侧板并被配置为排出从多个流体流量计汲取的热量。
附图说明
应理解,以上的一般描述和以下的详细描述仅是示例性的,并且旨在提供理解权利要求的性质和特征的概要或框架。附图被包括来提供进一步理解,并且结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了(多个)示例实施例,并且与说明书一起用于解释本公开内容的各种实施例的原理和操作。
为了能够详细地理解本公开内容的上述特征的方式,可参考实施例来进行上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述,其中一些在附图中示出。然而,应注意,附图仅示出了示例实施例,并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制,因为本公开内容可允许其他等效实施例。
为了便于理解,已经尽可能地使用相同的参考标记来标示不同的图所共有的基本上相同的元件。设想的是,针对任一个实施例公开的要素和特征可有益地并入其他实施例,而无需具体地叙述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造