[发明专利]表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板

权利要求书

1.一种表面处理铜箔，其具有：铜箔、及形成于所述铜箔的一面的第一表面处理层，且

所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO₂换算)进行1分钟溅镀时，相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1～15.0atm％。

2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述Ni浓度为1.0～3.5atm％。

3.如权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO₂换算)进行1分钟溅镀时，相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度为5.0～40.0atm％。

4.如权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，所述Zn浓度为10.0～30.0atm％。

5.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO₂换算)进行溅镀时，1分钟～2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度的积分值为0.1～18.0atm％。

6.如权利要求1至5中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO₂换算)进行溅镀时，1分钟～2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度的积分值为5.0～40.0atm％。

7.如权利要求1至6中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO₂换算)进行溅镀时，1分钟～2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni及Zn浓度的积分值的和为10.0～45.0atm％。

8.如权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO₂换算)进行7分钟溅镀时，相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Cu浓度为70～98atm％。

9.如权利要求1至8中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层的由JISB0601：1994所规定的十点平均粗糙度Rz为0.4～1.2μm。

10.如权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层满足以下的(A)～(E)的至少一者：

(A)均方根高度Sq为0.20～0.32μm；

(B)突出谷部深度Svk为0.31～0.38μm；

(C)基于JIS B0601：2013的粗糙度曲线要素的平均长度RSm为5～10μm；

(D)基于JIS B0631：2000的粗糙度图形的平均长度AR为6～20μm；

(E)基于JIS Z8730：2009的几何条件C测得的CIE L^*a^*b^*表色系统的L^*为39.0～94.0。

11.如权利要求1至10中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述铜箔为压延铜箔。

12.一种覆铜积层板，其具备：权利要求1至11中任一项所述的表面处理铜箔、及附着于所述表面处理铜箔的第一表面处理层的绝缘基材。

13.一种印刷配线板，其具备对权利要求12所述的覆铜积层板的所述表面处理铜箔进行蚀刻而形成的电路图案。