[发明专利]背面入射型半导体光检测元件的制造方法

权利要求书

1.一种背面入射型半导体光检测元件的制造方法，其特征在于，包括：

准备半导体基板的工序，该半导体基板具有彼此相对的第一主面和第二主面且具有第一导电型的第一半导体区域，并且在所述第二主面侧具有形成与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域的多个预定区域；

在所述第二主面中的所述多个预定区域中包含的面形成纹理区域的工序；和

在形成所述纹理区域后，在所述多个预定区域形成所述多个第二半导体区域的工序，

所述第一主面为朝向所述半导体基板的光入射面。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

沿着所述纹理区域的表面形状形成所述第二半导体区域。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：

通过在所述预定区域内添加第二导电型的杂质而形成所述第二半导体区域。

4.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：

通过在所述预定区域的表面形成包含第二导电型的杂质的层而形成所述第二半导体区域。

5.如权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于：

所述第二导电型的杂质是硼。

6.如权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其特征在于：

按每个所述多个预定区域中包含的所述面形成所述纹理区域。

7.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板，

所述半导体基板具有：第一导电型的第一半导体区域；和第二导电型的多个第二半导体区域，其设置于所述第二主面侧，并且与所述第一半导体区域构成pn结，

所述多个第二半导体区域具备具有纹理表面的区域，

在具有所述纹理表面的所述区域中，所述第二半导体区域沿着所述纹理表面设置，

所述第一主面为朝向所述半导体基板的光入射面。