[发明专利]背面入射型半导体光检测元件的制造方法

说明书

准备具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)的半导体基板(11)。半导体基板(11)具有第一导电型的第一半导体区域(13)。半导体基板(11)在第二主面(11b)侧具有形成与第一半导体区域(13)构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域(15)的多个预定区域(PR)。纹理区域形成于第二主面(11b)中的多个预定区域(PR)中包含的面。在形成纹理区域后，多个第二半导体区域(15)形成于多个预定区域(PR)。第一主面(11a)为朝向半导体基板的光入射面。

技术领域

本发明涉及背面入射型半导体光检测元件的制造方法。

背景技术

已知具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板的背面入射型半导体光检测元件(例如，参照专利文献1和2)。专利文献2中记载的背面入射型半导体光检测元件中，半导体基板具有第一导电型的第一半导体区域和第二导电型的多个第二半导体区域。半导体基板在第二主面侧具备多个第二半导体区域。各第二半导体区域与第一半导体区域构成pn结。第一主面是朝向半导体基板的光入射面。多个第二半导体区域具有纹理表面。纹理表面在形成第二半导体区域后形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2012/0313204号说明书

专利文献2：日本特开2011-023417号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的一个方式的目的在于，提供使长波长区域的分光灵敏度特性进一步提高的背面入射型半导体光检测元件的制造方法。本发明的另一个方式的目的在于，提供能够可靠地使长波长区域的分光灵敏度特性进一步提高的背面入射型半导体光检测元件。长波长区域例如为近红外的波长区域。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式涉及的背面入射型半导体光检测元件的制造方法包括：准备半导体基板的过程；形成纹理区域的过程；和形成多个第二半导体区域的过程。半导体基板具有彼此相对的第一主面和第二主面，并且具有第一导电型的第一半导体区域。半导体基板在第二主面侧具有多个预定区域，该多个预定区域形成与第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域。第一主面为半导体基板的光入射面。在形成纹理区域的过程中，在第二主面中的多个预定区域中包含的面，形成纹理区域。在形成纹理区域后，形成多个第二半导体区域的过程中，在多个预定区域形成多个第二半导体区域。

利用上述一个方式涉及的制造方法，获得第二半导体区域的第一区域具有纹理表面的背面入射型半导体光检测元件。长波长区域的光与短波长区域的光相比，吸收系数小。因此，从第一主面入射半导体基板的长波长区域的光在半导体基板内行进，到达纹理区域的表面。到达纹理区域的表面的光在纹理区域的表面反射或扩散，进一步在半导体基板内行进。因为长波长区域的光在半导体基板内行进的距离长，所以长波长区域的光被半导体基板吸收。其结果是，通过上述一个方式获得的背面入射型半导体光检测元件使长波长区域的分光灵敏度特性提高。

通过光被半导体基板吸收而产生的载流子有可能在第二半导体区域中复合。在第二半导体区域中复合的载流子无助于检测灵敏度，因此分光灵敏度特性有可能降低。

第二半导体区域的厚度大的结构中，与第二半导体区域的厚度小的结构相比，容易发生第二半导体区域中的载流子的复合。